《半導體器件原理簡明教程》力圖用最簡明、準確的語言，介紹典型半導體器件的核心知識，主要包括半導體物理基礎、pn結、雙極型晶體管、場效應晶體管、金屬-半導體接觸和異質結、半導體光電子器件�！栋雽�體器件原理簡明教程》在闡明基本結構和工作原理的基礎上，還介紹了微電子領域的一些新技術，如應變異質結、能帶工程、量子阱激光器等。《

《半導體器件物理學習與考研指導》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材《半導體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學輔導資料。全書共分為11章，內(nèi)容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬一半導體結、結型場效應晶體管和金屬一半導體場效應晶體管、金屬一氧化物一半導體場效應晶體管、電荷轉移

本書共11章，全面系統(tǒng)地闡述了納米半導體基本概念、制備技術和十種典型納米半導體的結構、形貌、組分、電子結構、光電特性、磁學性質、場發(fā)射特性及其應用。

電子學是研究電荷在空氣、真空和半導體內(nèi)運動的一門科學（注意此處不包括電荷在金屬中的運動）。這一概念最早起源于20世紀早期，以便和電氣工程（主要研究電動機、發(fā)電機和電纜傳輸）加以區(qū)別，當時的電子工程是一個嶄新的領域，主要研究真空管中的電荷運動。如今，電子學研究的內(nèi)容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學研究集成電路（IC）

本書較系統(tǒng)全面地闡述了半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性。具體內(nèi)容包括：半導體材料的基本性質、PN結機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、半導體器件制備技術、Ga在SiO（2）/Si結構下的開管摻雜共6章。每章后附有內(nèi)容小結、思考題和習題。書后有附錄，附錄A是本書的主要符號表，附錄B是常用

本書涵蓋了攝影成像，數(shù)碼成像，電視成像，紅外成像和醫(yī)學成像等內(nèi)容，對成像工程領域中的知識，從光，機，電系統(tǒng)結構和成像機理方面進行了較為詳盡的闡述。它既包括了已經(jīng)形成規(guī)模產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)成像系統(tǒng)，也包括了近幾年來迅猛發(fā)展的數(shù)碼成像，數(shù)字電視系統(tǒng)等嶄新內(nèi)容；既有面向日常生活中應用的普及型成像系統(tǒng)，也有面向軍事科學領域和生命科學領

本書是在1980、1984、1988、1995年出版的《通信原理》教材的基礎上，根據(jù)科技發(fā)展和教學改革實踐的需要，經(jīng)評審和重新修訂而成的。本書講述現(xiàn)代通信的基本原理，主要內(nèi)容包括模擬通信和數(shù)字通信，而側重于數(shù)字通信。全書共12章，可分為三個部分：第一部分（第1~4章）闡述通信基礎知識及模擬通信原理；第二部分（第5~8章

光電子成像技術是信息科學的一個重要分支。其功能是將人眼不易或不能直接看見的微弱光、紅外光、紫外光、X線及其他電磁輻射的靜態(tài)或瞬態(tài)現(xiàn)象，變?yōu)榭梢晥D像，因而它們在國民經(jīng)濟和國防建設中有較大實用價值；對人們物質文明和精神文明的進步，起著密不可分的傳播媒體作用。本書深入淺出地論述了各類光電子成像器件的工作原理、典型結構、特性參

本書在介紹輻射環(huán)境、空間應用器件的選擇策略以及半導體材料和器件的基本輻射效應機理的基礎上，介紹IV族半導體材料、CaAs材料、硅雙極器件以及MOS器件的輻射損傷等，并對先進半導體材料及器件的應用前景進行展望。

本書以器件和集成電路為軸線，從基本概念到器件的原理、設計、制造和電路應用，比較全面地介紹了新近發(fā)展起來的SiGe微電子技術。