本書源于作者在直拉硅單晶生長(zhǎng)控制領(lǐng)域十余年的研究心得與成果積累,在對(duì)硅單晶生長(zhǎng)工藝參數(shù)及制備理論進(jìn)行全面論述的基礎(chǔ)上,系統(tǒng)地介紹了直拉硅晶體生長(zhǎng)的基本原理和工藝過程以及熱場(chǎng)、磁場(chǎng)等關(guān)鍵部件的設(shè)計(jì)理論與方法。研究了影響硅片品質(zhì)的關(guān)鍵變量的檢測(cè)問題和工程方法,提出了全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)控制系統(tǒng)的基本理論和控制方法。全書分為八章,

《半導(dǎo)體工藝與測(cè)試實(shí)驗(yàn)》主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體工藝的6個(gè)主要單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體材料特性表征與器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)、工藝和器件特性仿真實(shí)驗(yàn)。并通過綜合流程實(shí)驗(yàn)整合各單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)知識(shí)和技能，著重培養(yǎng)學(xué)生的半導(dǎo)體器件的綜合設(shè)計(jì)能力。

《半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書：透明氧化物半導(dǎo)體》重點(diǎn)闡述了已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用或具有重要應(yīng)用前景的8種氧化物半導(dǎo)體的制備技術(shù)、晶體結(jié)構(gòu)、形貌、缺陷、電子結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)、磁學(xué)性質(zhì)、壓電性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和氣敏性質(zhì)，既包含了作者近30年的研究成果，又反映了國(guó)內(nèi)外透明氧化物半導(dǎo)體重要研究成果，既包含了早期透明氧化物半導(dǎo)體成熟理論，又反映了

《真空鍍膜原理與技術(shù)》闡述了真空鍍膜的應(yīng)用，真空鍍膜過程中薄膜在基體表面生長(zhǎng)過程；探討了薄膜生長(zhǎng)的影響因素；具體地介紹了真空鍍膜的各種方法，包括真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍以及化學(xué)氣相沉積的原理、特點(diǎn)、裝置及應(yīng)用技術(shù)等。力求避開煩瑣的數(shù)學(xué)公式，盡量用簡(jiǎn)單的語言闡述物理過程。通俗易懂、簡(jiǎn)單易學(xué)。

太陽電池可以實(shí)現(xiàn)太陽光直接轉(zhuǎn)換為電力，目前晶體硅太陽電池是光伏發(fā)電的主流產(chǎn)品。本書首先介紹了晶體硅的物理特性、太陽電池基本結(jié)構(gòu)和標(biāo)準(zhǔn)電池工藝；并在介紹多晶硅原料制備原理、硅源化合物材料性能和制備基礎(chǔ)上，著重介紹高純多晶硅和太陽級(jí)多晶硅的制備與各種提純生產(chǎn)工藝；最后，詳細(xì)闡述了硅的晶體生長(zhǎng)和硅片的生產(chǎn)工藝。本書可供大專院

《信息科學(xué)技術(shù)學(xué)術(shù)著作叢書：硅通孔3D集成技術(shù)》系統(tǒng)討論用于電子、光電子和MEMS器件的三維集成硅通孔（TSV）技術(shù)的最新進(jìn)展和未來可能的演變趨勢(shì)，同時(shí)詳盡討論三維集成關(guān)鍵技術(shù)中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導(dǎo)體工業(yè)中的納米技術(shù)和三維集成技術(shù)的起源和演變歷史，結(jié)合當(dāng)前三維集成關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展重點(diǎn)討論

本系列叢書分為《半導(dǎo)體化合物光電原理》、《半導(dǎo)體化合物光電器件制備》、《半導(dǎo)體化合物光電器件檢測(cè)》三部分。《半導(dǎo)體化合物光電原理》介紹半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)學(xué)基礎(chǔ)、物理學(xué)基礎(chǔ)以及ⅢAⅤA族半導(dǎo)體化合物的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)，半導(dǎo)體化合物的應(yīng)用、光電器件的結(jié)構(gòu)和工作原理等，較系統(tǒng)地介紹了相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)，適合材料、物理化學(xué)、光學(xué)、微電子

本書主要講解了晶硅硅片加工工藝，主要包括單晶硅棒截?cái)�、單晶硅棒與多晶硅錠開方、單晶硅塊磨面與滾圓、多晶硅塊磨面與倒角，多線切割、硅片清洗、硅片檢測(cè)與包裝等。本書根據(jù)硅片生產(chǎn)工藝流程，采用任務(wù)驅(qū)動(dòng)、項(xiàng)目訓(xùn)練的方法組織教學(xué)，以側(cè)重實(shí)踐操作技能為原則，注重實(shí)踐與理論的緊密結(jié)合，以職業(yè)崗位能力為主線突出應(yīng)用性和實(shí)踐性。本書適合

納米半導(dǎo)體具有常規(guī)半導(dǎo)體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、環(huán)境、傳感器、生物等諸多領(lǐng)域具有空前的應(yīng)用前景，成為新興納米產(chǎn)業(yè)，如納米信息產(chǎn)業(yè)、納米環(huán)保產(chǎn)業(yè)、納米能源產(chǎn)業(yè)、納米傳感器以及納米生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)等高速發(fā)展的源泉與動(dòng)力�！都{米半導(dǎo)體材料與器件》力求以最新內(nèi)容，全面、系統(tǒng)闡述納米半導(dǎo)體特殊性能及其在信息

楊樹人、王宗昌、王兢編寫的這本《半導(dǎo)體材料(第3版)》是為大學(xué)本科與半導(dǎo)體相關(guān)的專業(yè)編寫的教材，介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物

《氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關(guān)氮化物材料。全書共14章，內(nèi)容包括：氮化物材料的基本性質(zhì)、異質(zhì)外延方法和機(jī)理，HEMT材料的電學(xué)性質(zhì)，AlGaN/GaN和InAlN/

本書主要以異質(zhì)結(jié)雙晶體管、高電子遷移率晶體管、共振遂穿電子器件、單電子輸運(yùn)器件、量子結(jié)構(gòu)激光器、量子結(jié)構(gòu)紅外探測(cè)器和量子結(jié)構(gòu)太陽電池為主,比較系統(tǒng)地分析與討論了它們的工作原理與器件特性,并對(duì)自旋電子器件、單分子器件和量子計(jì)算機(jī)等內(nèi)容進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹。

《集成電路中的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件（英文版）》主要介紹與集成電路相關(guān)的主流半導(dǎo)體器件的基本原理，包括PN結(jié)二極管、MOSFET器件和雙極型晶體管（BJT），同時(shí)介紹了與這些半導(dǎo)體器件相關(guān)的集成工藝制造技術(shù)�！都�成電路中的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件（英文版）》作者是美國(guó)工程院院士、中國(guó)科學(xué)院外籍院士，多年從事半導(dǎo)體器件與集成電路領(lǐng)域的前沿

《有機(jī)電子學(xué)》從有機(jī)電子學(xué)的角度，深入淺出地概括總結(jié)了有機(jī)電子材料中的電子結(jié)構(gòu)與過程，并以此解釋了有機(jī)固體凝聚態(tài)的各種性質(zhì)。這些性質(zhì)對(duì)實(shí)際應(yīng)用中的有機(jī)光電器件的行為起決定性的作用。基于對(duì)理論的理解，《有機(jī)電子學(xué)》緊接著介紹了有機(jī)材料性質(zhì)的測(cè)試表征手段以及有機(jī)薄膜的制備手段。同時(shí)將理論與實(shí)踐相結(jié)合，書中相繼介紹和討論了有

《半導(dǎo)體器件原理簡(jiǎn)明教程》力圖用最簡(jiǎn)明、準(zhǔn)確的語言，介紹典型半導(dǎo)體器件的核心知識(shí)，主要包括半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、pn結(jié)、雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金屬-半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)、半導(dǎo)體光電子器件�！栋雽�(dǎo)體器件原理簡(jiǎn)明教程》在闡明基本結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，還介紹了微電子領(lǐng)域的一些新技術(shù)，如應(yīng)變異質(zhì)結(jié)、能帶工程、量子阱激光器等。《

《半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)與考研指導(dǎo)》是普通高等教育“十一五”國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材《半導(dǎo)體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學(xué)輔導(dǎo)資料。全書共分為11章，內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管、金屬一半導(dǎo)體結(jié)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電荷轉(zhuǎn)移

孟慶巨、劉海波、孟慶輝編著的《半導(dǎo)體器件物理》是普通高等教育“十一五”國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材。本書介紹了常用半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、主要性能和基本工藝技術(shù)。全書內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管、金屬-半導(dǎo)體結(jié)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電荷轉(zhuǎn)移器

本書的主要內(nèi)容包括：高分辨X射線衍射，光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學(xué)在半導(dǎo)體中的運(yùn)用，透射電子顯微學(xué)及其在半導(dǎo)體研究中的應(yīng)用，半導(dǎo)體深中心的表征。以上內(nèi)容包括了目前半導(dǎo)體材料（第三代半導(dǎo)體和低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料）物理表征的實(shí)驗(yàn)技術(shù)和具體應(yīng)用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實(shí)驗(yàn)技術(shù)，如LEED，