半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書(shū)詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書(shū)涵蓋了初始規(guī)范定義、測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、測(cè)試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實(shí)用的、全面的指南，提供了驗(yàn)證前端器件和后端互連的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際范例。本書(shū)適合從事半導(dǎo)體制造及可靠性方面的工程師與研究人員閱讀，也可作為高等院校微電子等相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的教材和參考書(shū)。

本書(shū)是國(guó)外學(xué)者們對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢(shì)的及時(shí)總結(jié)。首先，對(duì)寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢(shì)做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，以及它們?cè)跇O端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢(shì)。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開(kāi)論述，同時(shí)，介紹了磁性材料，并對(duì)不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷卻技術(shù)和散熱器設(shè)計(jì)進(jìn)行了介紹。然后，考慮到功率器件的質(zhì)量必須通過(guò)各種測(cè)試和可靠性驗(yàn)證方法來(lái)評(píng)估，還介紹了瞬態(tài)熱測(cè)試的原理和方法，同時(shí)闡述了各種可靠性測(cè)試的機(jī)理和選擇動(dòng)機(jī)。最后，就計(jì)

本書(shū)對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計(jì)，且重點(diǎn)介紹了近些年的工藝節(jié)點(diǎn)縮小趨勢(shì)和最前沿的技術(shù)。本書(shū)第1部分討論了主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲(chǔ)器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲(chǔ)層級(jí)，同時(shí)也介紹了存儲(chǔ)器技術(shù)在機(jī)器學(xué)習(xí)或深度學(xué)習(xí)中的新型應(yīng)用。

本書(shū)首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對(duì)超晶格作為混沌熵源時(shí)所涉及的器件設(shè)計(jì)、混沌信號(hào)分析、隨機(jī)數(shù)提取等問(wèn)題進(jìn)行研究，從理論上對(duì)超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機(jī)理進(jìn)行了研究，從實(shí)踐上實(shí)現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器設(shè)計(jì)及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的評(píng)估。

這是一本介紹半導(dǎo)體工作原理的入門類讀物。全書(shū)共分4章，包括第1章的半導(dǎo)體的作用、類型、形狀、制造方式、產(chǎn)業(yè)形態(tài)；第2章的理解導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的區(qū)別，以及P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的特性；第3章的PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等；第4章涵蓋了初學(xué)者和行業(yè)人士應(yīng)該知道的技術(shù)和行業(yè)詞匯表。本書(shū)適合想學(xué)習(xí)半導(dǎo)體的初學(xué)者閱讀，也可以作為相關(guān)企事業(yè)單位人員的科普讀物。

暫無(wú)

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場(chǎng)-熱場(chǎng)-載流子分布等物理場(chǎng)的耦合分析十分復(fù)雜�！稄椥园雽�(dǎo)體的多場(chǎng)耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場(chǎng)耦合問(wèn)題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（撓*電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)）在靜態(tài)加載、失穩(wěn)、振動(dòng)時(shí)的變形及載流子分布等。作為該理論模型的應(yīng)用，研究了壓電半導(dǎo)體材料的變形傳感及機(jī)械力對(duì)電子電路中電流的調(diào)控。

本書(shū)不僅介紹了半導(dǎo)體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對(duì)每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對(duì)應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)解釋。本書(shū)討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導(dǎo)體廠商實(shí)際使用的刻蝕設(shè)備的類型和等離子體產(chǎn)生機(jī)理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，并介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術(shù)。

本書(shū)基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過(guò)程中存在的問(wèn)題，介紹了多種改進(jìn)的批間控制和過(guò)程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過(guò)程概述，包括國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過(guò)程監(jiān)控。第4～7章討論機(jī)臺(tái)干擾、故障、度量時(shí)延對(duì)系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變折扣因子EWMA批間控制算法、偏移補(bǔ)償批間控制算法、基于T-S模糊模型的批間控制算法。第8～11章介紹半導(dǎo)體制造過(guò)程的性能和過(guò)程監(jiān)控方法，包括：設(shè)計(jì)模型評(píng)價(jià)指標(biāo)進(jìn)行建模質(zhì)量評(píng)估；提

本書(shū)系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動(dòng)力學(xué)方法、動(dòng)力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時(shí)間從亞皮秒量級(jí)到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)體材料的位移損傷機(jī)理和規(guī)律，在核技術(shù)和輻射物理學(xué)科的發(fā)展、位移損傷效應(yīng)研究、人才培養(yǎng)等方面具有重要的學(xué)術(shù)意義和應(yīng)用價(jià)值。