楊銀堂，1962年生，男，河北邯鄲市人，博士，教授，博士生導師，畢業(yè)于西安電子科技大學半導體專業(yè)。曾先后擔任該校微電子研究所所長、技術(shù)物理學院副院長、微電子學院院長、發(fā)展規(guī)劃處處長兼“211工程”辦公室主任，校長助理，兼任總裝備部軍用電子元器件專家組副組長，曾獲國家自然科學基金杰出青年基金、教育部跨世紀優(yōu)秀人才，全國模范教師和中國青年科技獎，入選國家“百千萬人才工程”�，F(xiàn)任西安電子科技大學副校長。先后在國際國內(nèi)重要期刊上發(fā)表論文180余篇，出版專著4部。
　　段寶興，1977年生，男，陜西省大荔縣人，博士，教授。分別于2000年和2004年獲哈爾濱理工大學材料物理與化學專業(yè)學士和碩士學位，2007年獲電子科技大學微電子學與固體電子學博士學位。主要從事硅基功率器件與集成、寬帶隙半導體功率器件和45 nm后CMOS關(guān)鍵技術(shù)研究。首次在國際上提出的優(yōu)化功率器件新技術(shù)REBULF已成功應用于橫向高壓功率器件設(shè)計；與合作者提出的SOI高壓器件介質(zhì)場增強ENDILF技術(shù)，成功解決了高壓器件縱向耐壓受限問題；最近首次在國際上提出了完全3D RESURF概念并已被國際同行認可。先后在國際國內(nèi)重要期刊上發(fā)表論文40余篇，其中30余篇次被SCI、EI檢索。擔任國際重要學術(shù)期刊IEEE Electron Device Letters，Solid-State Electronics，Micro ＆ Nano Letters，IEEE Transactions on Power Electronics和IETE Technical Review等的審稿人。
　　Hong Xiao（蕭宏）1982年于中國科學技術(shù)大學獲理學學士學位，1985年于中國西南物理研究所獲理學碩士學位，1985年至1989年在西南物理研究所從事等離子體物理研究，1995年于美國得克薩斯大學奧斯汀分校獲哲學博士學位。1995年至1998年在應用材料公司任高級技術(shù)講師。1998年至2003年在摩托羅拉公司半導體生產(chǎn)部任高級制造工程師，并在奧斯汀社區(qū)大學講授半導體制造技術(shù)。2003年至2011年在漢民微測科技股份有限公司任技術(shù)專家，現(xiàn)于KLA-Tencor公司任技術(shù)專家。目前的研究興趣為電子束缺陷檢測研發(fā)和集成電路制造中的電子束缺陷檢測。任SPIE會員和講師，IEEE會員和華美半導體協(xié)會終身會員。已發(fā)表30多篇期刊論文和國際會議論文，擁有7項美國專利。