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模擬電路設(shè)計(jì)：分立與集成 
定 價(jià)：119 元 叢書名：國(guó)外電子與電氣工程技術(shù)叢書
9 7 5 8 7 7 7 1 8 1 1 1 2 
本書以半導(dǎo)體物理理論為基礎(chǔ)，注重闡述模擬電路技術(shù)和BiCMOS技術(shù)，注重物理概念的詮釋，強(qiáng)調(diào)模擬電路的分立和和集成設(shè)計(jì)。全書主要內(nèi)容有：pn結(jié)二極管、雙極型晶體管、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、模擬集成電路構(gòu)建、模擬集成電路、頻率和時(shí)間響應(yīng)、反饋、穩(wěn)定性和噪聲。本書適合作為電類專業(yè)本科生和相關(guān)專業(yè)的模擬電路教材。
前言這本教材是為那些學(xué)習(xí)電子工程專業(yè)且以模擬電子學(xué)為自身事業(yè)的學(xué)生而準(zhǔn)備的。模擬集成電路設(shè)計(jì)者、產(chǎn)品/工藝/可靠性工程師、測(cè)試/測(cè)試開發(fā)工程師，以及模擬應(yīng)用/市場(chǎng)/用戶支持工程師的需求量總是很大的。本書是我多年以來(lái)在舊金山州立大學(xué)任教經(jīng)驗(yàn)的成果，在那里我潛心培養(yǎng)了成百上千位被硅谷高薪聘用的學(xué)生，他們分散在各個(gè)不同的模擬電路崗位上。這里介紹本書的三個(gè)重要特點(diǎn)。
●同時(shí)包括雙極型和CMOS技術(shù)。雖然數(shù)字電子學(xué)中CMOS技術(shù)占據(jù)主導(dǎo)地位，模擬電子學(xué)同時(shí)依靠CMOS和雙極型，但后者是高性能模擬電路的選擇以及BiCMOS技術(shù)的基礎(chǔ)。
●同時(shí)包括分立和集成設(shè)計(jì)。雖然現(xiàn)今一個(gè)模擬系統(tǒng)的最終形式有可能是集成電路類型，但測(cè)試和應(yīng)用通常要求一些輔助功能，例如調(diào)節(jié)和界面互連，這些最好用專門的分立設(shè)計(jì)方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。（任何熟悉這項(xiàng)工作且被公認(rèn)為模擬應(yīng)用/測(cè)試/測(cè)量領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者的人，都將贊同這一點(diǎn)，例如Jim Wlilliams和Robert Pease。）在這方面，BJT有很多現(xiàn)成的分立類型，以適應(yīng)各種不同的需求，包括實(shí)驗(yàn)室內(nèi)的實(shí)用性試驗(yàn)。另外，出于教學(xué)需要，在處理復(fù)雜集成電路之前先介紹簡(jiǎn)單的分立電路是明智的。
●適當(dāng)深度地介紹了半導(dǎo)體理論，以滿足工業(yè)生產(chǎn)中工程師對(duì)這些知識(shí)的日常需求。每一種模擬功能總離不開一個(gè)物理現(xiàn)象，所以模擬工程師，特別是IC設(shè)計(jì)者和產(chǎn)品/工藝/可靠性工程師，需要精通半導(dǎo)體物理知識(shí)以使電路在最佳狀態(tài)運(yùn)行。
本書結(jié)構(gòu)本書分為兩部分。
●第一部分主要介紹二極管（見(jiàn)第1章）、BJT（見(jiàn)第2章）和MOSFET（見(jiàn)第3章）。就這部分而言，它適合作為初級(jí)電子學(xué)的第一門課。這些內(nèi)容是按照電子行業(yè)科技進(jìn)展的順序排列的。然而，由于第2章和第3章是分開的，希望交換BJT和MOSFET教學(xué)順序的教師也可以輕易實(shí)現(xiàn)。無(wú)論順序如何，第3章都可以比第1章和第2章更快地講授完畢，因?yàn)閷W(xué)生已經(jīng)學(xué)習(xí)了直流偏置和大/小信號(hào)模型的內(nèi)容。
●第二部分包括模擬IC單元電路（見(jiàn)第4章）、典型模擬IC（見(jiàn)第5章）、頻率和時(shí)間響應(yīng)（見(jiàn)第6章）以及負(fù)反饋、穩(wěn)定性和噪聲（見(jiàn)第7章）。這部分適合作為模擬IC分析設(shè)計(jì)的本科生/研究生級(jí)的課程。在這部分，BJT和MOSFET通常一起討論，以區(qū)分兩者的異同點(diǎn)。
每一章提供了與其主題相關(guān)的相當(dāng)廣泛的覆蓋范圍，所以每一章需要較長(zhǎng)篇幅。全部?jī)?nèi)容超過(guò)了通常情況下兩學(xué)期或者四學(xué)期的課程，這為教師在選講內(nèi)容上留有余地。而且，作者認(rèn)為學(xué)生在學(xué)習(xí)第6章中更具挑戰(zhàn)性的頻率和時(shí)間響應(yīng)之前，需要熟練掌握低頻電路。然而，教師可以通過(guò)跳過(guò)第一部分中的合適主題來(lái)更改選講范圍，以更充分地講授第6章的選定主題。
正如提到的那樣，第一部分集中講授基本晶體管電路，側(cè)重于傳統(tǒng)的分立設(shè)計(jì)方法。從教育學(xué)角度來(lái)看，先學(xué)習(xí)單管電路再學(xué)習(xí)多管系統(tǒng)是合理的，如果在實(shí)驗(yàn)室中完成這一部分效果將會(huì)更好，因?yàn)樵谀抢锔菀籽芯亢?jiǎn)單電路。實(shí)際上，在這個(gè)水平的學(xué)習(xí)中，與計(jì)算機(jī)仿真相比，實(shí)驗(yàn)室可以提供更加有價(jià)值的學(xué)習(xí)環(huán)境。分立電路有一個(gè)眾所周知的缺點(diǎn)，就是需要用到耦合/旁路電容，這就增加了一個(gè)使學(xué)生分散注意力的因素，因?yàn)閷W(xué)生想要充分掌握這些電容的功能是很花費(fèi)時(shí)間的。認(rèn)識(shí)到這點(diǎn)，我嘗試通過(guò)具體例子來(lái)闡述電容（見(jiàn)圖2.55和圖3.60）。
在分立電路之后，本書進(jìn)入集成電路部分。集成和分立方法在4.1節(jié)中進(jìn)行對(duì)照；同時(shí)，兩者的直觀區(qū)別在習(xí)題4.3中進(jìn)行了討論。第二部分先介紹模塊的復(fù)雜性，再討論典型模擬IC，再討論IC動(dòng)態(tài)特性，最后講述工作在負(fù)反饋下的IC，以及穩(wěn)定性考慮、頻率補(bǔ)償和噪聲。這部分是為IC設(shè)計(jì)者所準(zhǔn)備的，但同時(shí)適用于所有與制造、測(cè)試和應(yīng)用相關(guān)的其他種類工程師。目前數(shù)量最多的應(yīng)用工程師，需要同時(shí)精通技術(shù)（以做出有根據(jù)的選擇）和IC內(nèi)部工作原理（以優(yōu)化其應(yīng)用）。本書的目的是在芯片設(shè)計(jì)能力和印制電路板設(shè)計(jì)能力之間促成一個(gè)平衡。
書中配套的網(wǎng)站為教師提供了習(xí)題答案手冊(cè)和PPT關(guān)于本書教輔資源，只有使用本書作為教材的教師才可以申請(qǐng)，需要的教師可向麥格勞·希爾教育出版公司北京代表處申請(qǐng)，電話：010-5799 7618/7600，傳真：010-5957 5582，電子郵件：instructorchina mheducation.com�！庉嬜。约耙幌盗杏杏玫木W(wǎng)站鏈接和勘誤表。對(duì)于任何可能的勘誤提醒，作者表示感激。
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動(dòng)機(jī)在試用了一些其他的教材后，我決定自己撰寫一部，一方面用于回答學(xué)生關(guān)注的問(wèn)題，另一方面將自己對(duì)怎樣更好地為研究生服務(wù)的想法付諸實(shí)踐，這些學(xué)生通常都會(huì)繼續(xù)從事電子行業(yè)。接下來(lái)列出的是學(xué)生關(guān)注最多的問(wèn)題。
●需要參照眾多的示例，特別是在工作中工程師們每天都會(huì)遇到的那些。我精心編寫了每一個(gè)例題和章后習(xí)題，以滿足兩個(gè)大概的需求：一是幫助學(xué)生在學(xué)習(xí)過(guò)程中獲得對(duì)數(shù)量級(jí)的直觀印象（例如例1.8），二是通過(guò)一個(gè)電路在不同情形或不同復(fù)雜度等級(jí)下的變化，來(lái)加深學(xué)生的理解（參見(jiàn)圖1.18～圖1.20）。在這個(gè)方面，我努力強(qiáng)調(diào)通過(guò)思考和物理直覺(jué)來(lái)獲得一個(gè)系統(tǒng)的問(wèn)題求解方法，而非進(jìn)行生搬硬套的計(jì)算。因?yàn)檫@是物理層面上的理解，而非數(shù)學(xué)上的處理或是計(jì)算機(jī)上的仿真，這種理解植根于學(xué)生的設(shè)計(jì)創(chuàng)造力，而這點(diǎn)又是工作中所需求的。本書還包括一些工程師每天都要用到的很有價(jià)值的經(jīng)驗(yàn)法則（參見(jiàn)1.8節(jié)和1.9節(jié)）。在任意可能的時(shí)候，都應(yīng)該提醒學(xué)生運(yùn)用直覺(jué)和物理洞察力來(lái)預(yù)測(cè)數(shù)學(xué)計(jì)算或計(jì)算機(jī)仿真得到的值，并檢測(cè)是否與物理實(shí)際相符合（關(guān)于物理洞察力參見(jiàn)例6.5和圖7.93）。
●書中應(yīng)包含SPICE仿真。本書集成的SPICE部分，既作為教學(xué)目標(biāo)以使學(xué)生更直觀地理解新概念（參見(jiàn)圖4.66），也作為驗(yàn)證工具以處理復(fù)雜計(jì)算。如果計(jì)算結(jié)果和仿真結(jié)果有顯著差別，學(xué)生就需要說(shuō)明可能的原因（見(jiàn)例5.2）。最后，SPICE可用來(lái)顯示那些對(duì)于手工計(jì)算而言過(guò)于復(fù)雜的細(xì)微差別（見(jiàn)例6.11）�，F(xiàn)在能獲得的SPICE版本非常多。與其指定某個(gè)特定版本，不如使電路的原理圖設(shè)計(jì)足夠簡(jiǎn)單，這樣學(xué)生就可以花數(shù)分鐘在他喜歡的SPICE版本上將電路建立起來(lái)。
●對(duì)基本半導(dǎo)體概念進(jìn)行介紹。我所在學(xué)校（一所州立大學(xué)）的多數(shù)畢業(yè)生從事各種各樣的職位，從IC設(shè)計(jì)者到產(chǎn)品和可靠性工程師、測(cè)試和測(cè)試開發(fā)工程師，以及應(yīng)用和用戶支持工程師，在這種情況下一個(gè)廣闊的知識(shí)背景遠(yuǎn)比一種有限的知識(shí)專精要重要得多。對(duì)半導(dǎo)體物理原理的基本理解是這個(gè)背景中的一個(gè)整體模塊，特別是對(duì)將來(lái)的產(chǎn)品工程師和可靠性工程師而言。
●順應(yīng)現(xiàn)今形象化地面向讀者的學(xué)習(xí)趨勢(shì)，本書包含了眾多的圖。多數(shù)圖由并行排列的兩個(gè)或多個(gè)部分組成，通過(guò)不同的電路情況、模型、時(shí)間幀或因果關(guān)系，來(lái)直觀顯示同一概念的不同方面（參見(jiàn)圖1.59）。并且，分析過(guò)程中涉及的最為相關(guān)的公式都直觀地列舉出來(lái)，這對(duì)學(xué)生準(zhǔn)備課堂測(cè)驗(yàn)和考試時(shí)尤為有用。在合適的時(shí)候，一整組公式會(huì)列為表格，以便于比較（參見(jiàn)圖3.50）。
我嘗試使用原汁原味的教材格式來(lái)解決上述這些問(wèn)題。每一章的開頭都有簡(jiǎn)短的歷史背景和動(dòng)機(jī)框架，緊接著是對(duì)本章所包含主題的簡(jiǎn)要概述，其后就是章節(jié)本身。每章以各種精挑細(xì)選的強(qiáng)調(diào)直覺(jué)和物理洞察力的習(xí)題作為結(jié)尾。
內(nèi)容一瞥第1章開頭介紹理想二極管，以此為工具介紹非線性電路和應(yīng)用。其后是對(duì)運(yùn)算放大器的復(fù)習(xí)，作為學(xué)習(xí)各種二極管器件及后面晶體管的鋪墊。接著介紹對(duì)二極管結(jié)進(jìn)行近似時(shí)最通用的物理器件pn結(jié)。在對(duì)半導(dǎo)體知識(shí)進(jìn)行直觀復(fù)習(xí)后，再詳細(xì)討論pn結(jié)，并運(yùn)用經(jīng)驗(yàn)法則來(lái)強(qiáng)調(diào)一些工程師在日常工作時(shí)會(huì)用到的實(shí)用知識(shí)。熟練掌握pn結(jié)對(duì)理解隨后兩章的晶體管物理學(xué)是至關(guān)重要的。最后，討論各種常見(jiàn)的二極管應(yīng)用，通常用PSpice作為輔助教學(xué)工具來(lái)加深理解。
第2章介紹雙極型晶體管（BJT），這是pn結(jié)在科技上（和歷史上）的發(fā)展。像第1章那樣，先介紹BJT的物理結(jié)構(gòu)，其后推導(dǎo)出其i-v特性，再介紹大/小信號(hào)模型和直流偏置，最后是單晶體管放大器和緩沖器的分析與設(shè)計(jì)。該章介紹的共射極結(jié)構(gòu)通常用作電壓放大，而共集電極和共基極結(jié)構(gòu)通常分別用作電壓和電流緩沖器。該章的重點(diǎn)是研究BJT作為電阻轉(zhuǎn)換器件時(shí)的作用（這也是BJT這樣命名的基礎(chǔ)）。這種等效轉(zhuǎn)換可以很方便地列成表格，以便后續(xù)章節(jié)的查閱。
第3章介紹MOSFET，與第2章介紹BJT類似。然而，這兩章是互相分開的，所以若有需要兩章的順序可以互換。該章開頭詳細(xì)介紹本征閾值的物理基礎(chǔ)，這對(duì)那些以后想成為產(chǎn)品、工藝和可靠性工程師的學(xué)生很有益。緊接著推導(dǎo)MOSFET的i-v特性，再介紹大/小信號(hào)模型和直流偏置，最后是單晶體管放大器和緩沖器的分析與設(shè)計(jì)。該章介紹的共源極結(jié)構(gòu)通常用作電壓放大，而共漏極和共柵極結(jié)構(gòu)通常分別用作電壓和電流緩沖器。該章還包含了CMOS反相器和基本CMOS邏輯門，計(jì)算機(jī)工程專業(yè)的學(xué)生同樣能夠受益于此（參見(jiàn)圖3.44對(duì)PSpice噪聲容限的解釋）。
第4章介紹現(xiàn)今應(yīng)用最廣的IC模塊，電路的復(fù)雜度上升了一個(gè)等級(jí)。按照后續(xù)章節(jié)使用的需要，詳略不同地介紹共源共柵結(jié)構(gòu)、差分放大器、全類型電流鏡、有源負(fù)載和推挽式輸出級(jí)。在任何可能的時(shí)候，同時(shí)討論BJT和MOSFET以呈現(xiàn)這種統(tǒng)一處理的思想，同時(shí)也節(jié)省了空間和工作量。
第5章運(yùn)用第4章中的模塊來(lái)設(shè)計(jì)典型的雙極型、CMOS混合模擬IC，即高增益放大器（如運(yùn)放）、電壓比較器和全差分運(yùn)放；參考電壓源、電流源（如帶隙基準(zhǔn)源）；電流型IC（如跨導(dǎo)體、運(yùn)算跨導(dǎo)放大器和電流反饋放大器）；最后還有開關(guān)電容電路。
第6章討論分立器件的頻率和時(shí)間響應(yīng)，再一直延伸至第5章的IC模塊等復(fù)雜電路。頻率分析基于米勒近似以及開環(huán)時(shí)間常數(shù)的知識(shí)。pn二極管和BJT的轉(zhuǎn)換時(shí)間雖然在工業(yè)生產(chǎn)中很重要，但在本書中依然忽略了對(duì)它們的具體討論，轉(zhuǎn)而通過(guò)對(duì)電荷控制的分析來(lái)大致了解一下相關(guān)知識(shí)。該章還包括了CMOS邏輯門的轉(zhuǎn)換時(shí)間討論，計(jì)算機(jī)工程專業(yè)的學(xué)生會(huì)從中獲益。在這一章中，PSpice被頻繁用作驗(yàn)證手工運(yùn)算的工具。
第7章開頭以淺顯易懂的方式介紹了前面章節(jié)電路中包含的負(fù)反饋，從單晶體管的情形一直討論到運(yùn)放。而后介紹了二端口網(wǎng)絡(luò)法和反饋比法，并用各種精心準(zhǔn)備的例題對(duì)它們進(jìn)行比較。同時(shí)以實(shí)用的方式介紹了布萊克曼阻抗公式和注入方法。其后開始介紹運(yùn)放的穩(wěn)定性和頻率補(bǔ)償，同時(shí)討論雙極型和CMOS型（此處PSpice再次成為最有用的教學(xué)工具）。該章還包括對(duì)集成電路噪聲的學(xué)習(xí)。在介紹基本噪聲特性、分析工具和噪聲類型后討論了二極管和晶體管的噪聲模型。最后，運(yùn)用噪聲分析方法分析了典型電路的噪聲特性。
對(duì)同學(xué)們的建議你所學(xué)習(xí)的電子學(xué)課程為你從事電子工程行業(yè)打下了基礎(chǔ)。這些課程的目的并不僅僅是介紹諸如二極管、晶體管這樣的器件，也是為了幫助你建立一個(gè)新的思維模式和問(wèn)題解答方法，這是充滿挑戰(zhàn)但又有趣的電子工程領(lǐng)域所特有的。大部分的電子工程專業(yè)畢業(yè)生最終從事工業(yè)化生產(chǎn)方面的工作，認(rèn)識(shí)到這一現(xiàn)實(shí)，我著重介紹了那些與當(dāng)今工業(yè)化環(huán)境最為相關(guān)的實(shí)用知識(shí)。無(wú)論你最后成為一個(gè)IC設(shè)計(jì)者、產(chǎn)品工程師、測(cè)試/測(cè)試開發(fā)工程師，還是應(yīng)用或用戶支持工程師，你最開始學(xué)到的這些電子學(xué)課程將會(huì)常常在各種情況下派上用場(chǎng)，所以相比于那些常見(jiàn)課程，你最好在這門課程上投入更多的時(shí)間和精力，你會(huì)受益終身。
雖然二極管和晶體管是高度非線性的器件，但仍有特殊的技巧來(lái)分析它們，這些技巧大多在線性電路的課程中就已介紹。在這些預(yù)備課程中學(xué)習(xí)的分析工具在電子學(xué)的學(xué)習(xí)中有著重要的作用，學(xué)習(xí)它們絕非浪費(fèi)時(shí)間。特別是，在探討電子學(xué)領(lǐng)域時(shí)，歐姆定律、基爾霍夫定律（KVL和KCL）、節(jié)點(diǎn)/環(huán)路分析方法、戴維南/諾頓定理、疊加原理和運(yùn)放定律等將繼續(xù)作為重要的分析工具。
和其他工程學(xué)分支一樣，電子學(xué)解決的是器件和系統(tǒng)這類的物理實(shí)體。我們將數(shù)學(xué)作為理解及預(yù)測(cè)工作狀態(tài)和設(shè)計(jì)新器件的工具，將計(jì)算機(jī)仿真作為驗(yàn)證工具。任何概念的推導(dǎo)和預(yù)測(cè)最終都必須經(jīng)過(guò)物理實(shí)體的驗(yàn)證，絕不能理所當(dāng)然地運(yùn)用。借助數(shù)學(xué)推導(dǎo)或計(jì)算機(jī)仿真，運(yùn)用物理推論來(lái)論證概念過(guò)程，在整個(gè)課程的學(xué)習(xí)中是最為核心的。
除了精通線性電路分析技巧外，學(xué)生應(yīng)具備基本的微積分知識(shí)，例如斜率和曲線包含的面積，以及基本的靜電學(xué)知識(shí)，例如高斯定理以及電場(chǎng)與電勢(shì)間的關(guān)系。同時(shí)，在驗(yàn)證人工分析結(jié)果時(shí)，在預(yù)備課程中學(xué)習(xí)的通過(guò)PSpice搭建電路的能力是非常有用的。
致謝許多讀者提供了詳細(xì)的評(píng)論和眾多有價(jià)值的建議。我盡量采納這些建議，但在出現(xiàn)意見(jiàn)相左的情況下，我只能繼續(xù)采用自己的想法。對(duì)所有提供反饋的讀者，我深表感激。我在此特別感謝克萊姆森大學(xué)的Stephen Hubbard、艾奧瓦州立大學(xué)的Santosh Pandey、北卡羅來(lái)納州立大學(xué)的Doona Ginger Yu。最后，我要感謝我的妻子Diana May對(duì)我的鼓勵(lì)和堅(jiān)定不移的支持。
Sergio Franco舊金山州立大學(xué)
賽爾吉?dú)W·弗朗哥（Sergio Franco）出生在意大利，1980年開始在美國(guó)舊金山州立大學(xué)電氣工程系授課，期間獲得了伊利諾伊大學(xué)香檳分校博士學(xué)位，成為該系榮譽(yù)教授。在就任現(xiàn)職之前，F(xiàn)ranco博士擁有廣泛的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在諸如固態(tài)物理學(xué)、模式識(shí)別、集成電路（IC）設(shè)計(jì)、醫(yī)學(xué)電子、日用電子和汽車電子等領(lǐng)域工作過(guò)，發(fā)表論文頗豐，F(xiàn)ranco博士還是《Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits》（McGraw-Hill Education，2014）和《Electric Ciruit Fundamentals》（Oxford University Press，1995）兩本教科書的作者。
目 錄
出版者的話
譯者序
前言
第1章 二極管和pn結(jié)1
1.1 理想二極管2
1.2 二極管的基本應(yīng)用7
1.3 運(yùn)算放大器與二極管的應(yīng)用14
1.4 半導(dǎo)體18
1.5 平衡態(tài)的pn結(jié)23
1.6 空間電荷區(qū)外接偏置的影響26
1.7 pn結(jié)二極管方程28
1.8 反向偏置的pn結(jié)32
1.9 正向偏置二極管的特性34
1.10 pn結(jié)二極管電路的直流分析37
1.11 pn結(jié)二極管電路的交流分析43
1.12 擊穿區(qū)工作狀態(tài)49
1.13 直流電源54
總結(jié)57
附錄1A58
參考文獻(xiàn)59
習(xí)題59
第2章 雙極型晶體管73
2.1 BJT的物理結(jié)構(gòu)75
2.2 BJT的基本工作原理77
2.3 BJT的i-v特性85
2.4 工作區(qū)與BJT模型89
2.5 作為放大器/開關(guān)的BJT98
2.6 BJT的小信號(hào)工作狀態(tài)102
2.7 放大器的BJT偏置設(shè)計(jì)109
2.8 基本雙極型電壓放大器114
2.9 雙極型電壓和電流緩沖器121
附錄2A129
參考文獻(xiàn)131
習(xí)題131
第3章 MOSFET146
3.1 MOSFET的物理結(jié)構(gòu)147
3.2 閾值電壓Vt149
3.3 n溝道MOSFET的特性155
3.4 MOSFET的i-v特性161
3.5 MOSFET在阻性直流電路中的應(yīng)用169
3.6 MOSFET作為放大器/開關(guān)178
3.7 MOSFET的小信號(hào)工作狀態(tài)183
3.8 基本MOSFET電壓放大器188
3.9 MOSFET電壓和電流緩沖器195
3.10 CMOS反相器/放大器198
附錄3A203
參考文獻(xiàn)205
習(xí)題205
第4章 模擬集成電路單元電路218
4.1 集成電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)219
4.2 BJT的特性和改進(jìn)模型224
4.3 MOSFET特性及其改進(jìn)模型233
4.4 達(dá)林頓、共源共柵和級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)242
4.5 差分對(duì)252
4.6 差分對(duì)的共模抑制比257
4.7 差分對(duì)的輸入失調(diào)電壓/電流262
4.8 電流鏡266
4.9 帶有源負(fù)載的差分對(duì)273
4.10 雙極型輸出級(jí)281
4.11 CMOS輸出級(jí)286
附錄4A289
參考文獻(xiàn)290
習(xí)題290
第5章 模擬集成電路311
5.1 μA741運(yùn)算放大器311
5.2 兩級(jí)CMOS運(yùn)算放大器319
5.3 折疊式共源共柵CMOS運(yùn)算放大器324
5.4 電壓比較器327
5.5 電流和電壓基準(zhǔn)332
5.6 電流模集成電路340
5.7 全差分運(yùn)算放大器346
5.8 開關(guān)電容電路351
附錄5A359
參考文獻(xiàn)360
習(xí)題360
第6章 頻率和時(shí)間響應(yīng)368
6.1 高頻BJT模型369
6.2 高頻MOSFET模型374
6.3 共射/共源放大器頻率響應(yīng)377
6.4 差分放大器的頻率響應(yīng)384
6.5 雙極型電壓和電流緩沖器388
6.6 MOS電壓和電流緩沖器393
6.7 開路時(shí)間常數(shù)分析397
6.8 共源共柵放大器的頻率響應(yīng)403
6.9 運(yùn)算放大器頻率和瞬態(tài)響應(yīng)407
6.10 二極管開關(guān)瞬態(tài)414
6.11 BJT開關(guān)瞬態(tài)417
6.12 CMOS門電路和電壓比較器瞬態(tài)響應(yīng)423
附錄6A431
參考文獻(xiàn)435
習(xí)題436
第7章 反饋、穩(wěn)定性和噪聲446
7.1 負(fù)反饋基礎(chǔ)447
7.2 反饋對(duì)失真、噪聲、帶寬的影響451
7.3 反饋結(jié)構(gòu)和閉環(huán)I/O電阻457
7.4 實(shí)際結(jié)構(gòu)和負(fù)載效應(yīng)462
7.5 反饋比分析478
7.6 布萊克曼阻抗公式和注入方法486
7.7 負(fù)反饋電路的穩(wěn)定性490
7.8 主極點(diǎn)補(bǔ)償497
7.9 單片運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償501
7.10 噪聲510
參考文獻(xiàn)521
習(xí)題521
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