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晶體生長手冊（1）晶體生長及缺陷形成概論 
定 價：48 元
9 7 3 8 3 7 3 5 8 6 6 0 1 多年以來，有很多探索研究已經(jīng)成功地描述了晶體生長的生長工藝和科學，有許多文章、專著、會議文集和手冊對這一領域的前沿成果做了綜合評述。這些出版物反映了人們對體材料晶體和薄膜晶體的興趣日益增長，這是由于它們的電子、光學、機械、微結構以及不同的科學和技術應用引起的。實際上，大部分半導體和光器件的現(xiàn)代成果，如果沒有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶體的發(fā)展則是不可能的。這些文章致力于生長機制的基本理解、缺陷形成、生長工藝和生長系統(tǒng)的設計，因此數(shù)量是龐大的。 本手冊針對目前備受關注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術水平進行闡述。我們的目的是使讀者了解經(jīng)常使用的生長工藝、材料生產(chǎn)和缺陷產(chǎn)生的基本知識。為完成這一任務，我們精選了50多位*科學家、學者和工程師，他們的合作者來自于22個不同國家。這些作者根據(jù)他們的專業(yè)所長，編寫了關于晶體生長和缺陷形成共計52章內(nèi)容：從熔體、溶液到氣相體材料生長；外延生長；生長工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術以及一些現(xiàn)代的特別課題。
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