第1章 太陽能電池和太陽光
    1.1 引言
    1.2 太陽能電池發(fā)展概況
    1.3 陽光的物理來源
    1.4 太陽常數(shù)
    1.5 地球表面的日照強度
    1.6 直接輻射和漫射輻射
    1.7 太陽的視運動
    1.8 日照數(shù)據(jù)
    1.9 小結(jié)
    習題
    參考文獻
    
    第2章 半導體的特性
    2.1 引言
    2.2 晶體結(jié)構(gòu)和取向
    2.3 禁帶寬度
    2.4 允許能態(tài)的占有幾率
    2.5 電子和空穴
    2.6 電子和空穴的動力學
    2.7 允許態(tài)的能量密度
    2.8 電子和空穴的密度
    2.9 Ⅳ族半導體的鍵模型
    2.10 Ⅲ族和V族摻雜劑
    2.11 載流子濃度
    2.12 摻雜半導體中費米能級的位置
    2.13 其他類型雜質(zhì)的影響
    2.14 載流子的傳輸
    2.14.1 漂移
    2.14.2 擴散
    2.15 小結(jié)
    習題
    參考文獻
    
    第3章 產(chǎn)生、復合及器件物理學的基本方程
    3.1 引言
    3.2 光與半導體的相互作用
    3.3 光的吸收
    3.3.1 直接帶隙半導體
    3.3.2 間接帶隙半導體
    3.3.3 其他吸收過程
    3.4 復合過程
    3.4.1 從弛豫到平衡
    3.4.2 輻射復合
    3.4.3 俄歇復合
    3.4.4 經(jīng)由陷阱的復合
    3.4.5 表面復合
    3.5 半導體器件物理學的基本方程
    3.5.1 引言
    3.5.2 泊松方程
    3.5.3 電流密度方程
    3.5.4 連續(xù)性方程
    3.5.5 方程組
    3.6 小結(jié)
    習題
    參考文獻
    
    第4章 p-n結(jié)二極管
    4.1 引言
    4.2 p-n結(jié)的靜電學
    4.3 結(jié)電容
    4.4 載流子注人
    4.5 準中性區(qū)內(nèi)的擴散流
    4.6 暗特性
    4.6.1 準中性區(qū)中的少數(shù)載流子
    4.6.2 少數(shù)載流子電流
    4.7 光照特性
    4.8 太陽能電池的輸出參數(shù)
    4.9 有限電池尺寸對I0的影響
    4.10 小結(jié)
    習題
    參考文獻
    
    第5章 效率的極限、損失和測量
    5.1 引言
    5.2 效率的極限
    5.2.1 概要
    5.2.2 短路電流
    5.2.3 開路電壓和效率
    5.2.4 黑體電池的效率極限
    5.3 溫度的影響
    5.4 效率損失
    5.4.1 概要
    5.4.2 短路電流損失
    5.4.3 開路電壓損失
    5.4.4 填充因子損失
    5.5 效率測量
    5.6 小結(jié)
    習題
    參考文獻
    
    第6章 標準硅太陽能電池工藝
    6.1 引言
    6.2 由砂還原為冶金級硅
    6.3 冶金級硅提純?yōu)榘雽�體級硅
    6.4 半導體級多晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉Ч杵?br>    6.5 單晶硅片制成太陽能電池
    6.6 太陽能電池封裝成太陽能電池組件
    6.6.1 組件結(jié)構(gòu)
    6.6.2 電池的工作溫度
    6.6.3 組件的耐久性
    6.6.4 組件電路設(shè)計
    6.7 能量收支結(jié)算
    6.8 小結(jié)
    習題
    參考文獻
    
    第7章 硅電池工藝的改進
    7.1 引言
    7.2 太陽能電池級硅
    7.3 硅片
    7.3.1 硅片的要求
    7.3.2 鑄錠工藝
    7.3.3 帶狀硅
    7.4 電池的制造和互聯(lián)
    7.5 候選工廠的分析
    7.6 小結(jié)
    習題
    參考文獻
    
    第8章 硅太陽能電池的設(shè)計
    8.1 引言
    8.2 主要考量
    8.2.1 光生載流子的收集幾率
    8.2.2 結(jié)深
    8.2.3 頂層的橫向電阻
    8.3 襯底的摻雜
    8.4 背面場
    8.5 頂層的限制
    8.5.1 死層
    8.5.2 高摻雜效應(yīng)
    8.5.3 對飽和電流密度的影響
    8.6 上電極的設(shè)計
    8.7 光學設(shè)計
    8.7.1 減反射膜
    8.7.2 絨面
    8.8 光譜響應(yīng)
    8.9 小結(jié)
    習題
    參考文獻
    
    第9章 其他器件結(jié)構(gòu)
    9.1 引言
    9.2 同質(zhì)結(jié)
    9.3 半導體異質(zhì)結(jié)
    9.4 金屬一半導體異質(zhì)結(jié)
    9.5 實用的低電阻接觸
    9.6 MIS太陽能電池
    ……
    第10章 其他半導體
    第11章 聚光型系統(tǒng)
    第12章 光伏系統(tǒng)的組成與應(yīng)用
    第13章 獨立光伏系統(tǒng)的設(shè)計
    第14章 住宅用和集中型光伏電力系統(tǒng)
    附錄A 物理常數(shù)
    附錄B 硅的部分特性［300K時］
    附錄C 符號一覽表
    索引