氧化鎵作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應(yīng)用前景。本書從氧化鎵半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學(xué)性質(zhì)調(diào)控等幾個(gè)方面做了較全面的介紹，重點(diǎn)梳理了作者及國(guó)內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的思路和方法，并對(duì)氧化鎵的發(fā)展進(jìn)行了綜述和展望。

本書可作為寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)的半導(dǎo)體、材料、化學(xué)、微電子等專業(yè)研究人員及理工科高校教師、研究生、高年級(jí)本科生的參考書或工具書，也可供其他對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵感興趣的人員參考。