本書共七章，內容包括緒論、InAs/AlSb異質結外延材料特性及工藝、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工藝、InAs/AlSbMOS-HEMTs基礎研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪聲放大器設計以及總結和展望。