第1章 實驗數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析/１

1.1測量及誤差/１

1.1.1測量/１

1.1.2誤差的基本概念/２

1.2 有效數(shù)字與數(shù)值運算/３

1.2.1 有效數(shù)字/３

1.2..2 數(shù)字的舍入與運算/４

1.2.3 數(shù)字的運算規(guī)則/４

1.3 誤差分析理論/４

1.3.1 測量結(jié)果的評價/４

1.3.2 隨機誤差/５

1.3 系統(tǒng)誤差/８

1.3.4 粗大誤差/12

1.3.5 誤差的合成/13

1.4 最佳測量方案的確定/19

第2章 數(shù)據(jù)的擬合/21

2.1最小二乘法/22

2.1.1 最小二乘法基本原理/22

2.1.2 最小二乘法與最大似然法/23

2.2 線性參數(shù)的最小二乘擬合/24

2.2.1 直線擬合/24

2.2.2 一般線性參數(shù)方程/27

2.2.3 最小二乘法數(shù)據(jù)擬合的統(tǒng)計性質(zhì)/30

2.2.4 兩個變量都具有誤差時的直線擬合/35

2.3 非線性參數(shù)的最小二乘擬合/37

2.3.1 可化為線性擬合方程的非線性參數(shù)估計/37

2.3.2 非線性參數(shù)的一般處理方法/40

2.4 多項式曲線擬合/43

2.4.1 多項式擬合原理/44

2.4.2 測量數(shù)據(jù)的光滑處理/46

2.4.3 多項式擬合階數(shù)的選取/51

2.5 正交多項式族的應用/55

2.5.1 曲線擬合中正交多項式族的使用/55

2.5.2 正交多項式族的構(gòu)成/57

2.5.3 自變量等間距變化的直線方程計算/60

2.5.4 自變量等間距變化時多項式擬合計算/60

第3章 半導體物理基礎/65

3.1 固體能帶理論基礎/66

3.2 載流子的準經(jīng)典運動/70

3.2.1 布洛赫電子的有效質(zhì)量和運動速度/70

3.2.2 能帶填充與材料導電特性/71

3.3 平衡載流子的統(tǒng)計分布/75

3.3.1 載流子濃度計算/75

3.3.2 本征半導體/77

3.3.3 非本征半導體/78

3.4 半導體中的載流子輸運/79

3.4.1 載流子的漂移運動/79

3.4.2 載流子的擴散運動/79

3.5 非平衡載流子/80

3.5.1 非平衡載流子的注入與復合/80

3.5.2 準費米能級/83

3.6 連續(xù)性方程/85

第4章 半導體材料的接觸及能帶結(jié)構(gòu)測量/87

4.1 材料的功函數(shù)/87

4.2 pn結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)及特性/90

4.2.1 pn結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)/92

4..2.2 pn結(jié)內(nèi)的電場強度/92

4.2.3 空間電荷區(qū)寬度和結(jié)電容/95

4.3 金屬和半導體接觸/99

4.4 材料費米能級及界面接觸勢壘的測試方法/101

4.4.1 紫外光電子能譜/102

4.4.2 開爾文探針/103

第5章 半導體缺陷及測量/105

5.1 載流子的產(chǎn)生 － 復合理論/105

5.1.1 間接復合/106

5.1.2 表面復合/110

5.1.3 陷阱效應/111

5.1.4 缺陷能級填充的動態(tài)描述/112

5.2 電容法測量缺陷濃度/114

5.2.1 穩(wěn)態(tài)電容測量/116

5.2.2 瞬態(tài)電容測量/116

5.3 深能級瞬態(tài)譜（DLTS）/122

5.4 導納譜測試/123

5.5 空間電荷限制電流法/124

第6章 載流子遷移率的測量/126

6.1 霍爾效應測量載流子遷移率/126

6.2 飛行時間漂移遷移率/129

6.3 空間電荷限制電流法/131

第7章 載流子動力學/134

7.1 影響過剩載流子壽命的過程/134

7.2 時間分辨光致發(fā)光光譜/135

7.3 瞬態(tài)吸收光譜/138

7.4 光電導衰減法/140

7.5 瞬態(tài)光電壓譜/142

第8章 太陽能電池的基本原理及表征/144

8.1 半導體材料及器件的光學性能/144

8.1.1 橢偏儀工作原理及材料光學常數(shù)的測量/145

8.1.2 減反射膜/147

8.1.3 陷光結(jié)構(gòu)/148

8.2 太陽能電池工作機制及等效電路/148

8.3 太陽能電池能量轉(zhuǎn)換效率/151

8.4 光譜響應（量子效率）/152