氮化鎵（GaN）的化學性質穩(wěn)定，并且具有許多優(yōu)異的物理性質，包括帶隙寬、介電常數(shù)小、擊穿電壓高、導熱性能高等，使其在光電子器件和功能器件方面具有廣闊的應用前景。GaN作為第三代半導體材料，是目前全球半導體研究的熱點和前沿，GaN納米線的可控合成可以為電子器件的設計與制備提供堅實的基礎，從而進一步提升其在電子器件方面的應用。
　　摻雜是一種改善材料電學性質的有效手段，本書對摻雜GaN納米線的制備工藝及性能進行了系統(tǒng)介紹，是作者研究小組近十年來在GaN納米線制備領域的主要研究工作和成果，內容主要涉及各種元素摻雜GaN納米線的制備技術和AIN包覆GaN納米線的制備及表征等。
　　本書內容涉及的工作得到國家自然科學基金項目和陜西省創(chuàng)新人才推進計劃項目的資助，感謝研究生付楠楠、張玉龍、宋莎、呂世燾、王囚輝、李丹丹、劉曉鈺、閏潔、王含笑等人對本書的貢獻。
　　本書是作者團隊多年從事GaN納米線制備技術研究工作的總結，由于作者水平有限，書中若存在不妥之處，歡迎讀者不吝指正。