《摻雜GAN納米線制備技術(shù)》共分9章,主要內(nèi)容包括各種元素摻雜CaN納米線的制備工藝與性能測試。對摻雜可以改善GaN納米線電學(xué)特性的原因進行了討論。另外,還介紹了AIN包覆CaN納米線的制備及表征,分析了AIN包覆GaN納米線的形成機理。該書內(nèi)容涉及物理、化學(xué)、材料和電子信息等多個領(lǐng)域的相關(guān)知識,書中詳細地給出了各種摻雜GaN納米線制備的工藝,以便讀者更好地了解該書的內(nèi)容。
《摻雜GAN納米線制備技術(shù)》可供電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、光電信息工程、物理學(xué)類本科生、研究生及相關(guān)領(lǐng)域工程技術(shù)人員閱讀。也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)師生的教學(xué)參考書。
氮化鎵(GaN)的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,并且具有許多優(yōu)異的物理性質(zhì),包括帶隙寬、介電常數(shù)小、擊穿電壓高、導(dǎo)熱性能高等,使其在光電子器件和功能器件方面具有廣闊的應(yīng)用前景。GaN作為第三代半導(dǎo)體材料,是目前全球半導(dǎo)體研究的熱點和前沿,GaN納米線的可控合成可以為電子器件的設(shè)計與制備提供堅實的基礎(chǔ),從而進一步提升其在電子器件方面的應(yīng)用。
摻雜是一種改善材料電學(xué)性質(zhì)的有效手段,本書對摻雜GaN納米線的制備工藝及性能進行了系統(tǒng)介紹,是作者研究小組近十年來在GaN納米線制備領(lǐng)域的主要研究工作和成果,內(nèi)容主要涉及各種元素摻雜GaN納米線的制備技術(shù)和AIN包覆GaN納米線的制備及表征等。
本書內(nèi)容涉及的工作得到國家自然科學(xué)基金項目和陜西省創(chuàng)新人才推進計劃項目的資助,感謝研究生付楠楠、張玉龍、宋莎、呂世燾、王囚輝、李丹丹、劉曉鈺、閏潔、王含笑等人對本書的貢獻。
本書是作者團隊多年從事GaN納米線制備技術(shù)研究工作的總結(jié),由于作者水平有限,書中若存在不妥之處,歡迎讀者不吝指正。