定 價(jià)：198 元
叢書名：輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)叢書
- 作者：陳偉等
- 出版時(shí)間：2024/6/1
- ISBN：9787030786104
- 出 版 社：科學(xué)出版社
- 中圖法分類：TN103,TL7
- 頁碼：280
- 紙張：
- 版次：1
- 開本：B5
航天器運(yùn)行所處的宇宙空間環(huán)境中存在大量射線粒子，這些粒子會在航天器電子器件中產(chǎn)生空間輻射效應(yīng)，導(dǎo)致電子系統(tǒng)性能下降、狀態(tài)改變，甚至功能失效，影響航天器使用壽命及在軌可靠運(yùn)行。航天器功能和性能要求越來越高，高可靠性、高集成度、高性能、低功耗納米電子器件的空間應(yīng)用前景廣闊。納米器件趨于物理極限的材料、工藝和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)對空間輻射效應(yīng)產(chǎn)生顯著影響。本書主要介紹納米器件空間輻射效應(yīng)基本概念和研究現(xiàn)狀、納米器件所用材料的輻射損傷微觀表征、納米器件空間輻射效應(yīng)新機(jī)理及可靠性、輻射損傷在納米電路中的傳播機(jī)制和加固方法、空間輻射效應(yīng)重離子模擬試驗(yàn)技術(shù)等內(nèi)容。
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主持國家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目，納米器件輻射效應(yīng)機(jī)理及模擬試驗(yàn)關(guān)鍵技術(shù)
目錄
叢書序
前言
第1章緒論1
1.1引言1
1.2空間輻射環(huán)境與效應(yīng)1
1.2.1空間輻射環(huán)境1
1.2.2空間輻射效應(yīng)3
1.3納米器件與工藝5
1.3.1新材料5
1.3.2新結(jié)構(gòu)6
1.3.3新工藝7
1.4納米工藝材料、器件和電路空間輻射效應(yīng)研究現(xiàn)狀8
1.4.1納米工藝材料空間輻射效應(yīng)8
1.4.2納米器件空間輻射效應(yīng)9
1.4.3納米電路空間輻射效應(yīng)11
1.5本章小結(jié)12
參考文獻(xiàn)13
第2章先進(jìn)半導(dǎo)體材料的輻射效應(yīng)17
2.1引言17
2.2荷能離子在固體中主要的能量損失方式17
2.3材料輻射損傷類型、形成機(jī)理及實(shí)驗(yàn)表征方法20
2.3.1材料輻射損傷類型及形成機(jī)理20
2.3.2材料微觀輻射損傷實(shí)驗(yàn)表征方法28
2.4典型器件材料的輻射效應(yīng)30
2.4.1硅材料輻射效應(yīng)30
2.4.2寬禁帶半導(dǎo)體材料輻射效應(yīng)30
2.4.3低維材料輻射效應(yīng)41
2.4.4高K材料輻射效應(yīng)51
2.5粒子在材料中能量沉積和輻射損傷的計(jì)算機(jī)模擬方法58
2.5.1粒子在材料中能量沉積的蒙特卡羅模擬方法58
2.5.2粒子在材料中輻射損傷的分子動力學(xué)模擬方法62
2.6本章小結(jié)67
參考文獻(xiàn)67
第3章納米器件總劑量效應(yīng)與可靠性76
3.1引言76
3.2總劑量效應(yīng)概述76
3.3納米MOSFET器件總劑量效應(yīng)78
3.3.1總劑量效應(yīng)對納米MOSFET器件電學(xué)參數(shù)的影響78
3.3.2納米MOSFET器件總劑量效應(yīng)關(guān)鍵影響區(qū)域82
3.3.3多變量對納米MOSFET器件總劑量效應(yīng)的影響84
3.4納米MOSFET器件長期可靠性99
3.4.1經(jīng)時(shí)擊穿效應(yīng)99
3.4.2熱載流子注入效應(yīng)101
3.4.3偏置溫度不穩(wěn)定效應(yīng)102
3.4.4總劑量效應(yīng)與電應(yīng)力耦合作用104
3.5本章小結(jié)111
參考文獻(xiàn)112
第4章納米器件單粒子效應(yīng)115
4.1引言115
4.2單粒子效應(yīng)概述115
4.2.1單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)技術(shù)116
4.2.2單粒子效應(yīng)仿真技術(shù)117
4.3納米存儲器單粒子多位翻轉(zhuǎn)118
4.3.1納米存儲器單粒子多位翻轉(zhuǎn)實(shí)驗(yàn)技術(shù)118
4.3.2納米存儲器單粒子多位翻轉(zhuǎn)的影響因素124
4.4納米組合邏輯電路單粒子多瞬態(tài)154
4.4.1納米組合邏輯電路單粒子多瞬態(tài)實(shí)驗(yàn)技術(shù)154
4.4.2納米組合邏輯電路單粒子多瞬態(tài)的影響因素156
4.5本章小結(jié)187
參考文獻(xiàn)187
第5章納米電路單粒子效應(yīng)時(shí)空特征分析與加固193
5.1引言193
5.2單粒子效應(yīng)時(shí)空特征193
5.2.1單粒子效應(yīng)時(shí)空特征的內(nèi)涵194
5.2.2單粒子效應(yīng)時(shí)空特征的測量方法194
5.3納米電路單粒子效應(yīng)的時(shí)間特征195
5.3.1單粒子效應(yīng)時(shí)間特征測試結(jié)構(gòu)與方法195
5.3.2單粒子效應(yīng)時(shí)間特征測試結(jié)果及分析197
5.4納米電路單粒子效應(yīng)的空間特征200
5.4.1單粒子效應(yīng)空間特征測試結(jié)構(gòu)與方法200
5.4.2單粒子效應(yīng)空間特征測試結(jié)果201
5.4.3單粒子效應(yīng)空間特征分析206
5.5考慮單粒子加固的納米電路多目標(biāo)優(yōu)化方法210
5.5.1基于貝葉斯優(yōu)化的時(shí)序電路多目標(biāo)尋優(yōu)框架211
5.5.2組合電路多目標(biāo)優(yōu)化加固方法222
5.6本章小結(jié)232
參考文獻(xiàn)233
第6章重離子輻照實(shí)驗(yàn)技術(shù)236
6.1引言236
6.2重離子輻照實(shí)驗(yàn)技術(shù)概述236
6.2.1聚焦型重離子微束輻照238
6.2.2針孔型重離子微束輻照239
6.2.3重離子寬束輻照241
6.3重離子微束輻照實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵技術(shù)和實(shí)驗(yàn)方法243
6.3.1輻照平臺搭建243
6.3.2單粒子瞬態(tài)測試技術(shù)248
6.3.3單離子輻照實(shí)驗(yàn)方法251
6.4重離子輻照實(shí)驗(yàn)技術(shù)的應(yīng)用254
6.4.1重離子微束輻照實(shí)驗(yàn)技術(shù)的應(yīng)用254
6.4.2重離子寬束輻照實(shí)驗(yàn)技術(shù)的應(yīng)用263
6.5新型“微束”——二次粒子敏感區(qū)定位270
6.5.1概述270
6.5.2IPEM研究271
6.6本章小結(jié)277
參考文獻(xiàn)277
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