第1章真空鍍膜概論
1.1概述
1.2影響固體表面結(jié)構(gòu)、形貌及其性能的因素
1.2.1原子和分子構(gòu)成固體物質(zhì)
1.2.2多晶體物質(zhì)結(jié)構(gòu)
1.2.3材料受到的各種應(yīng)力負(fù)荷
1.2.4材料加工所帶來(lái)的缺陷
1.2.5基片表面涂敷硬質(zhì)薄膜的必要性
1.3真空鍍膜及其工藝特點(diǎn)和應(yīng)賦予涂層的功能
1.4薄膜的特征
1.4.1薄膜的結(jié)構(gòu)特征
1.4.2金屬薄膜的電導(dǎo)特征
1.4.3金屬薄膜電阻溫度系數(shù)特征
1.4.4薄膜的密度特征
1.4.5薄膜的時(shí)效變化特征

第1章真空鍍膜概論
1.1概述
1.2影響固體表面結(jié)構(gòu)、形貌及其性能的因素
1.2.1原子和分子構(gòu)成固體物質(zhì)
1.2.2多晶體物質(zhì)結(jié)構(gòu)
1.2.3材料受到的各種應(yīng)力負(fù)荷
1.2.4材料加工所帶來(lái)的缺陷
1.2.5基片表面涂敷硬質(zhì)薄膜的必要性
1.3真空鍍膜及其工藝特點(diǎn)和應(yīng)賦予涂層的功能
1.4薄膜的特征
1.4.1薄膜的結(jié)構(gòu)特征
1.4.2金屬薄膜的電導(dǎo)特征
1.4.3金屬薄膜電阻溫度系數(shù)特征
1.4.4薄膜的密度特征
1.4.5薄膜的時(shí)效變化特征
1.5薄膜的應(yīng)用
1.5.1電子工業(yè)用薄膜
1.5.2光學(xué)工業(yè)中應(yīng)用的各種光學(xué)薄膜
1.5.3機(jī)械、化工、石油等工業(yè)中應(yīng)用的硬質(zhì)膜、耐蝕膜和潤(rùn)滑膜
1.5.4有機(jī)分子薄膜
1.5.5民用及食品工業(yè)中的裝飾膜和包裝膜
1.6真空鍍膜的發(fā)展歷程及最新進(jìn)展
參考文獻(xiàn)
第2章真空鍍膜技術(shù)基礎(chǔ)
2.1真空鍍膜物理基礎(chǔ)
2.1.1真空及真空狀態(tài)的表征和測(cè)量
2.1.2氣體的基本性質(zhì)
2.1.3氣體的流動(dòng)與流導(dǎo)
2.1.4氣體分子與固體表面的相互作用
2.2真空鍍膜低溫等離子體基礎(chǔ)
2.2.1等離子體及其分類與獲得
2.2.2低氣壓下氣體的放電
2.2.3低氣壓下氣體放電的類型
2.2.4低氣壓下冷陰極氣體輝光放電
2.2.5低氣壓非自持熱陰極弧光放電
2.2.6低氣壓自持冷陰極弧光放電
2.2.7磁控輝光放電
2.2.8空心冷陰極輝光放電
2.2.9高頻放電
2.2.10等離子體宏觀中性特征及其中性空間強(qiáng)度的判別
2.3薄膜的生長(zhǎng)與膜結(jié)構(gòu)
2.3.1膜的生長(zhǎng)過(guò)程及影響膜生長(zhǎng)的因素
2.3.2薄膜的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)缺陷
2.4薄膜的性質(zhì)及其影響因素
2.4.1薄膜的力學(xué)性質(zhì)及其影響因素
2.4.2薄膜的電學(xué)性質(zhì)
2.4.3薄膜的光學(xué)性質(zhì)及其影響膜折射率的因素
2.4.4薄膜的磁學(xué)性質(zhì)
參考文獻(xiàn)
第3章蒸發(fā)源與濺射靶
3.1蒸發(fā)源
3.1.1蒸發(fā)源及其設(shè)計(jì)與使用中應(yīng)考慮的問(wèn)題
3.1.2電阻加熱式蒸發(fā)源
3.1.3電子束加熱式蒸發(fā)源
3.1.4空心熱陰極等離子體電子束蒸發(fā)源
3.1.5感應(yīng)加熱式蒸發(fā)源
3.1.6激光加熱式蒸發(fā)源
3.1.7輻射加熱式蒸發(fā)源
3.1.8蒸發(fā)源材料
3.1.9蒸發(fā)源的發(fā)射特性及膜層的厚度分布
3.2濺射靶
3.2.1濺射靶的結(jié)構(gòu)及其設(shè)計(jì)要求
3.2.2濺射靶材
參考文獻(xiàn)
第4章真空蒸發(fā)鍍膜
4.1真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)
4.1.1真空蒸發(fā)鍍膜原理及蒸鍍條件
4.1.2薄膜材料
4.1.3合金膜的蒸鍍
4.1.4化合物膜的蒸鍍
4.1.5影響真空蒸鍍性能的因素
4.2分子束外延技術(shù)
4.2.1分子束外延生長(zhǎng)的基本原理與過(guò)程
4.2.2分子束外延生長(zhǎng)的條件、制備方法與特點(diǎn)
4.2.3分子束外延生長(zhǎng)參數(shù)選擇
4.2.4影響分子束外延的因素
4.2.5分子束外延裝置
4.3真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
4.3.1真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)的類型及其結(jié)構(gòu)
4.3.2真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)中的主要構(gòu)件
4.4真空蒸發(fā)涂層的制備實(shí)例
4.4.1真空蒸鍍鋁涂層
4.4.2真空蒸鍍Cd(Se，S)涂層
4.4.3真空蒸鍍ZrO2涂層
4.4.4分子束外延生長(zhǎng)金單晶涂層
參考文獻(xiàn)
第5章真空濺射鍍膜
5.1真空濺射鍍膜的復(fù)興與發(fā)展
5.2真空濺射鍍膜技術(shù)
5.2.1真空濺射鍍膜的機(jī)理分析及其濺射過(guò)程
5.2.2靶材粒子向基體上的遷移過(guò)程
5.2.3靶材粒子在基體上的成膜過(guò)程
5.2.4濺射薄膜的特點(diǎn)及濺射方式
5.2.5直流濺射鍍膜
5.2.6磁控濺射鍍膜
5.2.7射頻濺射鍍膜
5.2.8反應(yīng)濺射鍍膜
5.2.9中頻濺射與脈沖濺射鍍膜
5.2.10對(duì)向靶等離子體濺射鍍膜
5.2.11偏壓濺射鍍膜
5.3真空濺射鍍膜設(shè)備
5.3.1間歇式真空濺射鍍膜機(jī)
5.3.2半連續(xù)磁控濺射鍍膜機(jī)
5.3.3大面積連續(xù)式磁控濺射鍍膜設(shè)備
參考文獻(xiàn)
第6章真空離子鍍膜
6.1真空離子鍍膜及其分類
6.2離子鍍膜原理及其成膜條件
6.3離子鍍膜過(guò)程中等離子體的作用及到達(dá)基體入射的粒子能量
6.4離子轟擊在離子鍍過(guò)程中產(chǎn)生的物理化學(xué)效應(yīng)
6.5離化率與中性粒子和離子的能量及膜層表面上的活化系數(shù)
6.5.1離化率
6.5.2中性粒子所帶的能量
6.5.3離子能量
6.5.4膜層表面的能量活化系數(shù)
6.6離子鍍涂層的特點(diǎn)及其應(yīng)用范圍
6.7離子鍍膜的參數(shù)
6.7.1鍍膜室的氣體壓力
6.7.2反應(yīng)氣體的分壓
6.7.3蒸發(fā)源功率
6.7.4蒸發(fā)速率
6.7.5蒸發(fā)源和基體間的距離
6.7.6沉積速率
6.7.7基體的負(fù)偏壓
6.7.8基體溫度
6.8離子鍍膜裝置及常用的幾種鍍膜設(shè)備
6.8.1直流二極、三極及多極型離子裝置
6.8.2活性反應(yīng)離子鍍裝置
6.8.3空心陰極放電離子鍍膜裝置
6.8.4射頻放電離子鍍裝置
6.8.5磁控濺射離子鍍膜裝置
6.8.6真空陰極電弧離子鍍膜裝置
6.8.7冷電弧陰極離子鍍膜裝置
6.8.8熱陰極強(qiáng)流電弧離子鍍裝置
參考文獻(xiàn)
第7章離子束沉積與離子束輔助沉積
7.1離子束沉積技術(shù)
7.1.1離子束沉積原理及特點(diǎn)
7.1.2直接引出式離子束沉積技術(shù)
7.1.3質(zhì)量分離式離子束沉積技術(shù)
7.1.4離化團(tuán)束沉積技術(shù)
7.1.5等離子體浸沒式沉積技術(shù)
7.1.6氣固兩用離子束沉積技術(shù)
7.2離子束輔助沉積技術(shù)
7.2.1離子束輔助沉積過(guò)程的機(jī)理
7.2.2離子束輔助沉積的方式及其能量選擇范圍
7.2.3離子束輔助沉積技術(shù)的特點(diǎn)
7.2.4離子束輔助沉積裝置
7.2.5微波電子回旋等離子體增強(qiáng)濺射沉積裝置
7.2.6離子源
參考文獻(xiàn)
第8章化學(xué)氣相沉積
8.1概述
8.2CVD技術(shù)中的各類成膜方法及特點(diǎn)
8.3CVD技術(shù)的成膜條件及其反應(yīng)類型
8.3.1CVD反應(yīng)的條件
8.3.2CVD技術(shù)的反應(yīng)類型
8.4化學(xué)氣相沉積用先驅(qū)反應(yīng)物質(zhì)的選擇
8.5影響CVD沉積薄膜質(zhì)量的因素
8.5.1沉積溫度對(duì)膜質(zhì)量的影響
8.5.2反應(yīng)氣體濃度及相互間的比例對(duì)膜質(zhì)量的影響
8.5.3基片對(duì)膜質(zhì)量的影響
8.6常壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)與裝置
8.6.1常壓CVD技術(shù)的一般原理
8.6.2常壓的CVD裝置
8.7低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)
8.7.1LPCVD的原理及特點(diǎn)
8.7.2LPCVD裝置的組成
8.7.3LPCVD制備涂層的實(shí)例
8.8等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)
8.8.1PECVD的成膜過(guò)程及特點(diǎn)
8.8.2PECVD裝置
8.8.3PECVD薄膜的工藝實(shí)例
8.9金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)
8.10光輔助化學(xué)氣相沉積(PHCVD)
參考文獻(xiàn)
第9章薄膜的測(cè)量與監(jiān)控
9.1概述
9.2薄膜厚度的測(cè)量
9.2.1薄膜厚度的光學(xué)測(cè)量法
9.2.2薄膜厚度的電學(xué)測(cè)量法
9.2.3薄膜厚度的機(jī)械測(cè)量法
9.3薄膜應(yīng)力的測(cè)量
9.3.1基片變形法
9.3.2衍射法
9.4薄膜的附著力測(cè)量
9.4.1膠帶剝離法
9.4.2拉倒法
9.4.3拉張法
9.4.4劃痕法
9.5薄膜的硬度測(cè)量
9.5.1維氏硬度
9.5.2努氏硬度
9.6薄膜的光譜特性測(cè)量
參考文獻(xiàn)
第10章薄膜性能分析
10.1概述
10.2電子作用于固體表面上所產(chǎn)生的各種效應(yīng)
10.2.1背散射電子
10.2.2二次電子
10.2.3吸收電子和透射電子
10.2.4俄歇電子
10.2.5特征X射線
10.2.6陰極熒光
10.2.7電子束感生電流
10.3離子作用于固體表面所產(chǎn)生的效應(yīng)
10.3.1一次離子的表面散射
10.3.2反向散射離子
10.3.3正負(fù)二次電子
10.4光子作用于固體表面所產(chǎn)生的效應(yīng)
10.4.1波長(zhǎng)較短的X射線
10.4.2波長(zhǎng)較長(zhǎng)的X射線
10.5薄膜形貌觀察與結(jié)構(gòu)分析
10.5.1光學(xué)顯微鏡
10.5.2掃描電子顯微鏡
10.5.3透射電子顯微鏡
10.5.4X射線衍射儀
10.5.5低能電子衍射和反射式高能電子衍射
10.5.6掃描探針顯微鏡
10.6薄膜組成分析
10.6.1俄歇電子能譜儀
10.6.2二次離子質(zhì)譜分析儀
10.6.3盧瑟福背散射分析儀
10.6.4X射線光電子能譜儀
參考文獻(xiàn)
第11章真空鍍膜技術(shù)中的清潔處理
11.1概述
11.2真空鍍膜設(shè)備的清潔處理
11.2.1真空鍍膜設(shè)備污染物的來(lái)源及清潔處理
11.2.2真空鍍膜設(shè)備真空系統(tǒng)的清洗處理
11.3真空鍍膜設(shè)備的環(huán)境要求
11.4真空鍍膜工藝對(duì)環(huán)境的要求
11.4.1真空鍍膜工藝對(duì)環(huán)境的基本要求
11.4.2基片表面污染物來(lái)源及清潔處理
11.5鍍件表面處理的基本方法
11.6真空鍍膜常用材料的清洗方法
11.7真空鍍膜設(shè)備型號(hào)編制方法、試驗(yàn)方法
11.7.1真空設(shè)備型號(hào)編制方法（JB/T 7673—1995）
11.7.2真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件（摘自GB/T 11164—99）
參考文獻(xiàn)