微機電系統(tǒng)(MEMS)制造技術(shù)
定 價:88 元
叢書名:微納制造的基礎(chǔ)研究學(xué)術(shù)著作叢書
- 作者:苑偉政,喬大勇著
- 出版時間:2014/3/1
- ISBN:9787030399748
- 出 版 社:科學(xué)出版社
- 中圖法分類:TM380.5
- 頁碼:240
- 紙張:膠版紙
- 版次:1
- 開本:16K
《微納制造的基礎(chǔ)研究學(xué)術(shù)著作叢書:微機電系統(tǒng)(MEMS)制造技術(shù)》主要論述微機電系統(tǒng)(MEMS)制造技術(shù),全書共9章。第1章闡述MEMS制造技術(shù)的定義、發(fā)展歷程和發(fā)展趨勢;第2章介紹MEMS制造的材料基礎(chǔ);第3章闡述MEMS制造中的沾污及潔凈技術(shù);第4章闡述包括光刻技術(shù)和軟光刻技術(shù)在內(nèi)的圖形轉(zhuǎn)移技術(shù);第5章闡述濕法腐蝕與干法刻蝕技術(shù);第6章闡述氧化、擴散與注入技術(shù);第7章介紹各種薄膜制備技術(shù);第8章介紹包括表面犧牲層工藝、體加工工藝和混合工藝在內(nèi)的MEMS加工標準化工藝;第9章闡述MEMS的芯片級和圓片級封裝工藝!段⒓{制造的基礎(chǔ)研究學(xué)術(shù)著作叢書:微機電系統(tǒng)(MEMS)制造技術(shù)》結(jié)合大量設(shè)備操作實例和工藝實例,貼近實踐,易于理解。同時,考慮到MEMS加工工藝過程涉及大量化學(xué)品的使用,還專門以附錄的形式對MEMS制造常用化學(xué)品物質(zhì)安全資料表和基本化學(xué)品安全術(shù)語進行了介紹。
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《微納制造的基礎(chǔ)研究學(xué)術(shù)著作叢書:微機電系統(tǒng)(MEMS)制造技術(shù)》適合作為MEMS相關(guān)專業(yè)研究生教材,也可供相關(guān)領(lǐng)域的科技人員閱讀參考。
目錄
《微納制造的基礎(chǔ)研究學(xué)術(shù)著作叢書》序
前言
第1章 緒論 1
1.1 微機電系統(tǒng)定義 1
1.2 MEMS制造技術(shù) 3
1.3 MEMS制造技術(shù)發(fā)展歷程 4
1.4 MEMS制造技術(shù)發(fā)展趨勢 10
參考文獻 13
第2章 MEMS制造材料基礎(chǔ) 15
2.1 引言 15
2.2 硅材料 15
2.3 硅化合物 20
2.3.1 二氧化硅 20
2.3.2 氮化硅 21
2.4 壓電材料 22
2.5 形狀記憶合金 24
2.6 超磁致伸縮材料 28
2.7 電流變/磁流變體 28
2.8 有機聚合物材料 29
2.8.1 PI 30
2.8.2 PDMS 30
2.8.3 PMMA 33
2.9 聚合物前驅(qū)體陶瓷 34
參考文獻 36
第3章 MEMS制造中的沾污及潔凈技術(shù) 38
3.1 MEMS制造中的沾污 38
3.1.1 潔凈間技術(shù) 39
3.1.2 去離子水技術(shù) 41
3.1.3 防靜電技術(shù) 44
3.2 MEMS制造中的清洗 48
3.2.1 SPM清洗 48
3.2.2 RCA清洗 49
3.2.3 DHF清洗 50
3.2.4 超聲/兆聲清洗 50
3.2.5 其他清洗 53
3.2.6 標準清洗流程 53
參考文獻 55
第4章 圖形轉(zhuǎn)移 56
4.1 引言 56
4.2 光刻技術(shù) 56
4.2.1 光刻基本原理 56
4.2.2 制版 58
4.2.3 脫水烘 60
4.2.4 涂膠 61
4.2.5 軟烘 67
4.2.6 對準 68
4.2.7 曝光 71
4.2.8 中烘 77
4.2.9 顯影 77
4.2.10 堅膜 79
4.2.11 鏡檢 79
4.2.12 去膠 79
4.3 剝離 80
4.3.1 單層膠氯苯處理法 81
4.3.2 雙層膠法 81
4.3.3 圖形反轉(zhuǎn)膠法 82
4.3.4 其他方法 83
4.4 軟光刻技術(shù) 85
4.4.1 嵌段共聚物自裝 85
4.4.2 微復(fù)制成形 89
4.4.3 微轉(zhuǎn)印成形 91
4.4.4 微接觸印刷 92
4.4.5 毛細管微成形 95
4.4.6 溶劑輔助微成形 97
4.4.7 電誘導(dǎo)微成形 98
參考文獻 100
第5章 濕法腐蝕與干法刻蝕 102
5.1 濕法腐蝕 102
5.1.1 硅的各向同性濕法腐蝕 104
5.1.2 硅的各向異性濕法腐蝕 106
5.1.3 二氧化硅的濕法腐蝕 114
5.1.4 氧化硅的濕法腐蝕 115
5.1.5 鋁的濕法腐蝕 115
5.1.6 其他材料的濕法腐蝕 115
5.2 干法刻蝕 115
5.2.1 等離子基礎(chǔ) 117
5.2.2 等離子體的產(chǎn)生 120
5.2.3 濺射刻蝕 121
5.2.4 等離子刻蝕 122
5.2.5 反應(yīng)離子刻蝕 123
5.2.6 深度反應(yīng)離子刻蝕 127
參考文獻 132
第6章 氧化、擴散與注入 134
6.1 氧化 134
6.1.1 氧化設(shè)備 134
6.1.2 Deal-Grove氧化模型 135
6.2 擴散 136
6.3 離子注入 145
參考文獻 147
第7章 薄膜制備 148
7.1 化學(xué)氣相沉積 148
7.2 真空鍍膜 155
7.3 外延 157
7.4 SOI制備 158
7.5 浸漬提拉法 160
7.6 激光快速回化成型 161
參考文獻 164
第8章 MEMS標準工藝 165
8.1 引言 165
8.2 表面犧牲層標準工藝 166
8.2.1 MUMPs表面犧牲層標準工藝 166
8.2.2 SUMMiT工藝 175
8.3 體加工標準工藝 178
8.3.1 溶片工藝 178
8.3.2 SCREAM工藝 181
8.3.3 SOI工藝 183
8.3.4 LIGA工藝 189
8.4 混合工藝 192
8.4.1 體表混合工藝 193
8.4.2 MEMS加CMOS混合工藝 194
參考文獻 204
第9章 MEMS封裝 205
9.1 引言 205
9.2 芯片級封裝 206
9.2.1 探針測試 206
9.2.2 減薄/噴金 208
9.2.3 劃片 209
9.2.4 上芯 210
9.2.5 壓焊 211
9.2.6 封帽 214
9.3 圓片級封裝 217
9.3.1 真空薄膜密封 218
9.3.2 陽極鍵合 219
9.3.3 熔融鍵合 221
9.3.4 共晶鍵合 222
9.3.5 其他中間層鍵合 222
參考文獻 223
附錄A MEMS制造常用化學(xué)晶 224
附錄B 化學(xué)品安全術(shù)語 236
索引 241