半導體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關鍵。本書詳細描述和分析了半導體器件制造中的可靠性和認定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結構設計、測試結構數據分析，以及工藝的最終認定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和后端互連的測試結構設計的實際范例。

本書是國外學者們對寬禁帶半導體封裝技術和趨勢的及時總結。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結和預演判斷，講述寬禁帶功率半導體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結構的熱性能，以及冷

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件具有導通電阻低、擊穿電壓高、開關速度快及熱傳導性好等優(yōu)點，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡化功率電子系統(tǒng)拓撲結構，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團隊多年的光刻工藝（包括先進光刻工藝）研發(fā)經驗，從集成電路工廠的基本結構、半導體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內容出發(fā)，依次介紹光刻基礎知識，一個6晶體管靜態(tài)隨機存儲器的電路結構與3個關鍵技術節(jié)點中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標準化與

本書詳細地闡述了寬禁帶功率半導體器件的發(fā)展現狀、電熱行為模型建模方法與模型參數提取優(yōu)化算法、開通和關斷過電壓問題分析和抑制方法、串擾導通問題機理與抑制方法。通過LLC變換器展示了如何借助寬禁帶器件電熱行為模型完成功率變換器硬件優(yōu)化設計和控制算法的仿真驗證，并分析了平面磁集成矩陣變壓器的優(yōu)化設計方法，建立了LLC變換器小

《低維半導體材料及其信息能源器件》講述了低維半導體材料與器件的制備與構筑及其在電子信息和綠色能源領域的新穎應用。全書共7章，涵蓋了低維材料的生長和表征、二維半導體材料在觸覺傳感器的應用、二維過渡金屬硫化合物感通融器件、二維過渡金屬硫化物的納米光子學和光電子學、二維半導體材料材料非易失性阻變存儲器和射頻開關、四/五主族二

本書是作者從事電子制造40年來有關單板互連可靠性方面的經驗總結,討論了單板常見的失效模式、典型失效場景以及如何設計與制造高可靠性產品的廣泛問題，并通過大量篇幅重點討論了焊點的斷裂失效現象及裂紋特征。全書內容共4個部分，第一部分為焊點失效機理與裂紋特征，詳細介紹焊點的失效模式、失效機理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

隨著先進的集成電路工藝節(jié)點不斷向納米級推進，對半導體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細介紹了半導體納米器件的物理學原理、結構、制造工藝及應用等內容。開篇介紹了這一研究領域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點介紹電子納米器件，包括準一維電子氣、強電子相關的測量、量子點的熱電特性、單電子源、量子電流標準、電子量子光學、噪聲

本書詳細介紹了半導體芯片制造中的核心技術——光刻技術。主要內容包括驅動光學光刻的基本方程和參數的相關知識、曝光系統(tǒng)和成像基礎理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術等；深入分析了光刻技術的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學以及世界級大批量制造方面的獨特經驗，增加了關于接

本書對半導體存儲器技術進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結構到頂層的陣列設計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術。本書第1部分討論了主流的半導體存儲器技術，第2部分討論了多種新型的存儲器技術，這些技術都有潛力能夠改變現有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術在機器學習或深度學習中的新型應用。