本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測試方法及應(yīng)用技術(shù)，概括了近年學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的*新研究成果。本書共分為9章：功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiCMOSFET參數(shù)的解讀、測試及應(yīng)用，雙脈沖測試技術(shù)，SiC器件與Si器件特性對比，高di/dt的影響與應(yīng)對——關(guān)斷電壓過沖，高dv/dt的影響與應(yīng)對——crosstalk，高d

書是國家職業(yè)教育專業(yè)教學(xué)資源庫配套教材之一，也是十二五職業(yè)教育國家規(guī)劃教材修訂版。本書根據(jù)現(xiàn)代電子制造業(yè)對表面貼裝崗位技術(shù)人才的需要，系統(tǒng)介紹了表面貼裝技術(shù)（SMT）工藝設(shè)備的操作與維護(hù)技術(shù)。全書在編寫過程中，融入了企業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用案例、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及企業(yè)規(guī)范，內(nèi)容按照表面貼裝設(shè)備崗位技術(shù)人員的典型工作任務(wù)和表面貼裝工藝流程環(huán)

本書詳細(xì)介紹了現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝過程中,從PCB到PCBA及最終產(chǎn)品各個工序常見的技術(shù)要求及對異常問題的處理方法,包括工焊接、壓接、電批使用的每一個主要過程,如PCB清潔、印錫、點膠、貼片、回流、AOI檢測、三防涂覆、返修技術(shù)、各類設(shè)備的維護(hù)保養(yǎng)等。同時還介紹了各個環(huán)節(jié)對從業(yè)者的基本要求,貫穿整個單板加工的工藝流程。所涉

本書主要圍繞標(biāo)準(zhǔn)編制工作展開，涉及項目組研究過程中思考與推進(jìn)工作的方法，吸收和借鑒了一些國內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，還有他們?nèi)绾谓柚鷮嶒炄∽C的方法，圍繞有爭議的技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行專項研究，如何采取求真務(wù)實的方式檢驗標(biāo)準(zhǔn)，開展實地調(diào)研工作，以及項目組專家們和企業(yè)都提供了哪些前沿信息等內(nèi)容。全書共分六個章節(jié)，第一章是項目的整個研究總報告，主

由于石墨烯材料具有眾多的優(yōu)異特性，使其在半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，本書詳細(xì)介紹了石墨烯材料在半導(dǎo)體中的應(yīng)用。全書共8章，包含三大部分內(nèi)容，分別為石墨烯材料簡述（第1~3章）、石墨烯在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用（第4~6章）和石墨烯在半導(dǎo)體封裝散熱中的應(yīng)用（第7~8章）。石墨烯材料簡述部分介紹了石墨烯材料及其發(fā)展和產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，

本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長機(jī)理及其相關(guān)理論，重點討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長理論和硅鍺低

本書全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)，全書共分十一章。第一章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)，第十

表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點，建立長期的機(jī)械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過程為主線，詳細(xì)介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測與返修等，其

本書介紹了硅材料的結(jié)構(gòu)與性能、分類及應(yīng)用、主要制備技術(shù)及工藝，重點對太陽能電池、探測器等硅基光電子器件的結(jié)構(gòu)與原理做了闡述，在此基礎(chǔ)上分析了新型廣譜硅材料的特點、結(jié)構(gòu)、光電性能、研究現(xiàn)狀及其在光電子器件方面的應(yīng)用。本書中作者圍繞硫族元素超飽和摻雜硅材料的制備、結(jié)構(gòu)、特性、超飽和硫摻雜硅探測器與太陽能電池的研制及性能等方

本書從光的特性入手，詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料光電特性以及光、電相互作用機(jī)制和基本物理過程，重點闡述了半導(dǎo)體太陽能電池、光電導(dǎo)器件、光電二極管、光電耦合器件、CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器等半導(dǎo)體光電子器件的工作機(jī)制、基本物理過程、基本性能曲線、關(guān)鍵參數(shù)及影響器件性能的因素等。本書既可作為微電子、光電子及相關(guān)學(xué)