本書以線上線下混合式教學(xué)模式為主，主要介紹半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識。全書共7章，主要內(nèi)容包括線上線下混合式教學(xué)模式、半導(dǎo)體入門知識、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)、半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、非平衡載流子。

本書主要論述了半導(dǎo)體材料與器件中的光學(xué)現(xiàn)象與物理過程，重點論述了半導(dǎo)體中光的吸收、輻射、復(fù)合、激射以及pn結(jié)、半導(dǎo)體氧化物薄膜特性等的基本原理以及與光現(xiàn)象相關(guān)的各種效應(yīng)和應(yīng)用。全書十二章分別由以下人員完成：第一章半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和能量狀態(tài)（王卿璞）；第二章半導(dǎo)體的光吸收（王卿璞）；第三章半導(dǎo)體光學(xué)常數(shù)之間的關(guān)系（王漢斌

本書主要講述半導(dǎo)體物理的基本知識。全書共11章，主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體的概述、晶體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)、半導(dǎo)體中載流子的平衡統(tǒng)計分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、非平衡載流子、金屬和半導(dǎo)體的接觸、半導(dǎo)體PN結(jié)、半導(dǎo)體的表面、半導(dǎo)體的光學(xué)與光電性質(zhì)，以及半導(dǎo)體的其他性質(zhì)。

本書從半導(dǎo)體物理學(xué)與現(xiàn)代高科技之間互為驅(qū)動的關(guān)系出發(fā)，在縱觀近三十年來國內(nèi)外重大進(jìn)展的基礎(chǔ)上，研討了半導(dǎo)體物理學(xué)各個分支學(xué)科涌現(xiàn)出來的新概念、新突破和新方向，以及它們對半導(dǎo)體物理學(xué)學(xué)科發(fā)展的影響與貢獻(xiàn)，分析了半導(dǎo)體物理學(xué)的研究現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)和機遇。

《半導(dǎo)體光譜和光學(xué)性質(zhì)（第三版）》系統(tǒng)論述了半導(dǎo)體及其超晶格、量子阱、量子線以及量子點結(jié)構(gòu)等的光譜和光學(xué)性質(zhì).從宏觀光學(xué)常數(shù)和量子理論出發(fā)，分別論述了它們的反射和吸收光譜、發(fā)光光譜與輻射復(fù)合、光電導(dǎo)和光電子效應(yīng)、磁光效應(yīng)、拉曼散射以及量子阱、量子線、量子點的光譜和光學(xué)性質(zhì).《半導(dǎo)體光譜和光學(xué)性質(zhì)（第三版）》第二版總結(jié)了

本書結(jié)合“半導(dǎo)體物理學(xué)”本科教學(xué)和復(fù)習(xí)考研的實際需求，收集、整理、融合大量往屆考研真題、期末試題，給出了詳細(xì)的參考答案。本書共12章，涵蓋名詞解釋、填空題、選擇題、簡答題、計算題和證明題六種題型，涉及面廣、內(nèi)容豐富、代表性強，為鞏固學(xué)生掌握半導(dǎo)體物理學(xué)的基本理論知識奠定堅實的基礎(chǔ)。本書可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)、微電

本書梳理和總結(jié)了中國科學(xué)院院士、半導(dǎo)體物理學(xué)家夏建白院士近60年從事半導(dǎo)體物理學(xué)領(lǐng)域科研活動的歷程。主要包括夏建白院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、自傳以及獲授獎項等內(nèi)容。夏建白院士是我國著名的半導(dǎo)體物理學(xué)家，在低維半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)電子態(tài)的量子理論及其應(yīng)用方面進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，對推動我國半導(dǎo)體物理科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)

本書共6章，主要介紹了硅基應(yīng)變半導(dǎo)體物理的相關(guān)內(nèi)容，重點討論了如何建立硅基應(yīng)變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率模型，并分析了應(yīng)變對硅基應(yīng)變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率的影響。通過本書的學(xué)習(xí)，可為讀者以后學(xué)習(xí)應(yīng)變器件物理奠定重要的理論基礎(chǔ)。本書可作為高等院校微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)研究生的參考書，也可供其他相關(guān)專業(yè)的學(xué)生參考。

本書是微電子技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)教程。全書涵蓋了量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體材料物理及半導(dǎo)體器件物理等內(nèi)容，分成三部分，共計15章。第一部分為半導(dǎo)體材料屬性，主要討論固體晶格結(jié)構(gòu)、量子力學(xué)、固體量子理論、平衡半導(dǎo)體、輸運現(xiàn)象、半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子；第二部分為半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，主要討論pn結(jié)、pn結(jié)二極管、金屬半導(dǎo)體和半導(dǎo)體

本書主要討論窄禁帶半導(dǎo)體的基本物理性質(zhì)，包括晶體生長，能帶結(jié)構(gòu)，光學(xué)性質(zhì)，晶格振動，自由載流子的激發(fā)、運輸和復(fù)合，雜質(zhì)缺陷，表面界面，二維電子氣，超晶格和量子阱，器件物理和應(yīng)用等方面的基本物理現(xiàn)象、效應(yīng)和規(guī)律以及近年來的主要研究進(jìn)展。在窄禁帶半導(dǎo)體物理研究過程中建立的新型實驗方法及器件應(yīng)用也在書中有所介紹。