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當(dāng)前分類數(shù)量:210  點擊返回 當(dāng)前位置:首頁 > 中圖法 【TN30 一般性問題】 分類索引
  • 硅片加工技術(shù)(康自衛(wèi))
    • 硅片加工技術(shù)(康自衛(wèi))
    • 康自衛(wèi),王麗 主編/2010-9-1/ 化學(xué)工業(yè)出版社/定價:¥30
    • 本書主要從實際工藝的角度對硅片生產(chǎn)全過程進行了比較系統(tǒng)詳細(xì)的介紹,包括硅單晶的基本特性和晶體結(jié)構(gòu),硅片生產(chǎn)設(shè)備的種類、性能及其使用方法,硅單晶從滾磨與開方、切割、研磨、拋光、清洗一直到檢驗包裝的整個生產(chǎn)過程與管理,其中針對太陽能硅片的生產(chǎn)有適當(dāng)?shù)慕榻B,通過這些介紹,旨在使讀者能夠?qū)杵a(chǎn)有一個全貌的認(rèn)識,能具備硅片生

    • ISBN:9787122090584
  • 半導(dǎo)體器件原理簡明教程
    • 半導(dǎo)體器件原理簡明教程
    • 傅興華等編著/2010-8-1/ 科學(xué)出版社/定價:¥30
    • 《半導(dǎo)體器件原理簡明教程》力圖用最簡明、準(zhǔn)確的語言,介紹典型半導(dǎo)體器件的核心知識,主要包括半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、pn結(jié)、雙極型晶體管、場效應(yīng)晶體管、金屬-半導(dǎo)體接觸和異質(zhì)結(jié)、半導(dǎo)體光電子器件。《半導(dǎo)體器件原理簡明教程》在闡明基本結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上,還介紹了微電子領(lǐng)域的一些新技術(shù),如應(yīng)變異質(zhì)結(jié)、能帶工程、量子阱激光器等!

    • ISBN:9787030284204
  • 半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)與考研指導(dǎo)
    • 半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)與考研指導(dǎo)
    • 孟慶巨,孫彥峰編著/2010-2-1/ 科學(xué)出版社/定價:¥28
    • 《半導(dǎo)體器件物理學(xué)習(xí)與考研指導(dǎo)》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材《半導(dǎo)體器件物理(第二版)》(孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著)的配套教學(xué)輔導(dǎo)資料。全書共分為11章,內(nèi)容包括:半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管、金屬一半導(dǎo)體結(jié)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管和金屬一半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、電荷轉(zhuǎn)移

    • ISBN:9787030267399
  • 納米半導(dǎo)體
    • 納米半導(dǎo)體
    • 馬洪磊,薛成山編著/2009-3-1/ 國防工業(yè)出版社/定價:¥48
    • 本書共11章,全面系統(tǒng)地闡述了納米半導(dǎo)體基本概念、制備技術(shù)和十種典型納米半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)、形貌、組分、電子結(jié)構(gòu)、光電特性、磁學(xué)性質(zhì)、場發(fā)射特性及其應(yīng)用。

    • ISBN:9787118060485
  • 電子電路分析與設(shè)計——半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用(第3版)
    • 電子電路分析與設(shè)計——半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用(第3版)
    • 王宏寶、于紅云/2009-1-1/ 清華大學(xué)出版社/定價:¥59
    • 電子學(xué)是研究電荷在空氣、真空和半導(dǎo)體內(nèi)運動的一門科學(xué)(注意此處不包括電荷在金屬中的運動)。這一概念最早起源于20世紀(jì)早期,以便和電氣工程(主要研究電動機、發(fā)電機和電纜傳輸)加以區(qū)別,當(dāng)時的電子工程是一個嶄新的領(lǐng)域,主要研究真空管中的電荷運動。如今,電子學(xué)研究的內(nèi)容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學(xué)研究集成電路(IC)

    • ISBN:9787302178958
  • 半導(dǎo)體物理與器件
    • 半導(dǎo)體物理與器件
    • 裴素華 等編著/2008-9-1/ 機械工業(yè)出版社/定價:¥35
    • 本書較系統(tǒng)全面地闡述了半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識和典型半導(dǎo)體器件的工作原理、工作特性。具體內(nèi)容包括:半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)、PN結(jié)機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應(yīng)晶體管、半導(dǎo)體器件制備技術(shù)、Ga在SiO(2)/Si結(jié)構(gòu)下的開管摻雜共6章。每章后附有內(nèi)容小結(jié)、思考題和習(xí)題。書后有附錄,附錄A是本書的主要符號表,附錄B是常用

    • ISBN:9787111247319
  • 先進半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)
    • 先進半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)
    • (比)C.Claeys,(比)E.Simoen著/2008-6-1/ 國防工業(yè)出版社/定價:¥55
    • 本書在介紹輻射環(huán)境、空間應(yīng)用器件的選擇策略以及半導(dǎo)體材料和器件的基本輻射效應(yīng)機理的基礎(chǔ)上,介紹IV族半導(dǎo)體材料、CaAs材料、硅雙極器件以及MOS器件的輻射損傷等,并對先進半導(dǎo)體材料及器件的應(yīng)用前景進行展望。

    • ISBN:9787118054088
  • SiGe微電子技術(shù)
    • SiGe微電子技術(shù)
    • 徐世六主編/2008-6-1/ 國防工業(yè)出版社/定價:¥55
    • 本書以器件和集成電路為軸線,從基本概念到器件的原理、設(shè)計、制造和電路應(yīng)用,比較全面地介紹了新近發(fā)展起來的SiGe微電子技術(shù)。

    • ISBN:9787118052527
  • 半導(dǎo)體的檢測與分析(第二版)
    • 半導(dǎo)體的檢測與分析(第二版)
    • 許振嘉/2007-8-1/ 科學(xué)出版社/定價:¥98
    • 本書的主要內(nèi)容包括:高分辨X射線衍射,光學(xué)性質(zhì)檢測分析,表面和薄膜成分分析,掃描探針顯微學(xué)在半導(dǎo)體中的運用,透射電子顯微學(xué)及其在半導(dǎo)體研究中的應(yīng)用,半導(dǎo)體深中心的表征。以上內(nèi)容包括了目前半導(dǎo)體材料(第三代半導(dǎo)體和低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料)物理表征的實驗技術(shù)和具體應(yīng)用成果。限于篇幅,不能面面俱到,所以有些實驗技術(shù),如LEED,

    • ISBN:9787030194626
  • 半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)(第二版)
    • 半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)(第二版)
    • 曾樹榮 編著/2007-1-1/ 北京大學(xué)出版社/定價:¥36
    • 本書內(nèi)容大體可分為兩個部分。前兩章為第一部分,介紹學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必須的知識,包括半導(dǎo)體基本知識和pn結(jié)理論;其余各章為第二部分,闡述主要半導(dǎo)體器件的基本原理和特性,這些器件包括:雙極型晶體管、化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應(yīng)器件和光器件。每章末均有習(xí)題,書后附有習(xí)題參考解答。本書簡明扼要,討論

    • ISBN:9787301054567