本書從材料、工藝、結(jié)構(gòu)、性能、歷史、產(chǎn)業(yè)和前沿研究角度，對(duì)半導(dǎo)體太陽能電池和發(fā)光二極管進(jìn)行系統(tǒng)性的介紹。主要包括半導(dǎo)體與新能源，太陽能電池概述，晶體硅太陽能電池，薄膜硅太陽能電池，碲化鎘太陽能電池，砷化鎵太陽能電池，銅銦硒太陽能電池，染料敏化太陽能電池，有機(jī)太陽能電池，發(fā)光二極管概述，氮化鎵發(fā)光二極管，氧化鋅發(fā)光二極管

本書以集成電路領(lǐng)域中的等離子體刻蝕為切入點(diǎn)，介紹了等離子體基礎(chǔ)知識(shí)、基于等離子體的刻蝕技術(shù)、等離子體刻蝕設(shè)備及其在集成電路中的應(yīng)用。全書共8章，內(nèi)容包括集成電路簡介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機(jī)、等離子體測試和表征、等離子體仿真、顆�？刂坪土慨a(chǎn)。本

本書介紹本書介紹納米氧化鋅及納米氧化鋅基材料的表征、制備及應(yīng)用研究，大致分以下幾章進(jìn)行。第一章：緒論，主要講述純納米氧化鋅結(jié)構(gòu)、制備、性及應(yīng)用；第二章：表征，主要講述目前納米氧化鋅及納米氧化鋅基材料的表征方法及手段；第三章：不同形貌純ZnO納米材料的制備及應(yīng)用研究，對(duì)不同形貌ZnO納米材料的各種性質(zhì)進(jìn)行對(duì)比；第四章：功

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸從集成電路拓展到微波、功率和光電等應(yīng)用領(lǐng)域。傳統(tǒng)元素半導(dǎo)體硅材料不再能滿足這些多元化需求，化合物半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生并快速發(fā)展。本書以浙江大學(xué)材料科學(xué)工程學(xué)系“寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料與器件”課程講義為基礎(chǔ)，參照全國各高等院校半導(dǎo)體材料與器件相關(guān)教材，結(jié)合課題組多年的研究成果編寫而成

Thisbookcomprehensivelyanddeeplyintroducesthesemiconductordeviceprincipleandtechnology.Thebookconsistsofthreesections:semiconductorphysicsanddevices,semiconduct

本書采用通俗易懂的語言、圖文并茂的形式，詳細(xì)講解了智能制造SMT設(shè)備操作與維護(hù)的相關(guān)知識(shí)，覆蓋了SMT生產(chǎn)線常用的設(shè)備，主要包括上板機(jī)、印刷機(jī)、SPI設(shè)備、雙軌平移機(jī)、貼片機(jī)、AOI設(shè)備、緩存機(jī)、回流焊、X-ray激光檢測儀、AGV機(jī)器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對(duì)SMT生產(chǎn)線的運(yùn)行管理做了介紹。本書內(nèi)容豐富實(shí)用，講解

本書為《電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級(jí)證書教程》（初級(jí)）配套教材，以職業(yè)技能等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和電子裝聯(lián)工藝、品質(zhì)管控、設(shè)備操作等崗位能力要求為依據(jù)進(jìn)行編寫。本書重點(diǎn)圍繞裝聯(lián)準(zhǔn)備、基板焊接、基板檢修、基板裝聯(lián)四大工作領(lǐng)域11個(gè)典型工作任務(wù)展開。全書分為理論知識(shí)考核試題和操作技能考核試題兩部分，并附有理論知識(shí)考核試題答案、理論知識(shí)考核試卷樣

本書系統(tǒng)闡述了表面組裝元器件、表面組裝材料、表面組裝工藝、表面組裝設(shè)備原理及應(yīng)用等SMT基礎(chǔ)內(nèi)容。針對(duì)SMT產(chǎn)品制造業(yè)的技術(shù)發(fā)展及崗位需求，詳細(xì)介紹了表面組裝技術(shù)的SMB設(shè)計(jì)與制造、焊錫膏印刷、點(diǎn)膠、貼片、波峰與再流焊接、檢驗(yàn)、清洗等基本技能。為解決學(xué)校實(shí)訓(xùn)條件不足和增加學(xué)生感性認(rèn)識(shí)的需要，書中配置了較大數(shù)量的實(shí)物圖片

本書以作者近年來的研究成果為基礎(chǔ)，結(jié)合國際研究進(jìn)展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了氫終端金剛石場效應(yīng)管器件。全書共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應(yīng)管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復(fù)合

本書主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導(dǎo)體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應(yīng)用前景。本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導(dǎo)體材料的基本結(jié)構(gòu)，單晶生長和薄膜外延方法，電學(xué)特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導(dǎo)體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注