本書共六章,內(nèi)容包括:緒論、硅膠基間接固態(tài)發(fā)光氮摻雜碳點(diǎn)的構(gòu)筑及其在黃光發(fā)光二級(jí)管中的應(yīng)用、聚乙烯醇基間接固態(tài)發(fā)光氮硫共摻雜碳點(diǎn)的構(gòu)筑及其在暖白光發(fā)光二級(jí)管中的應(yīng)用、直接固態(tài)發(fā)光氮摻雜碳點(diǎn)的構(gòu)筑及其在多色發(fā)光二級(jí)管中的應(yīng)用、氮硫共摻雜碳點(diǎn)的構(gòu)筑及其在倒置太陽能電池中的應(yīng)用、結(jié)論與展望。

本書面向世界科技前沿和國家重大需求，針對(duì)高效率Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計(jì)和制造的關(guān)鍵問題，基于作者在III族氮化物L(fēng)ED外延生長(zhǎng)和芯片制造領(lǐng)域十余年的研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，融入國內(nèi)外同行在這一領(lǐng)域的研究成果，從藍(lán)光/綠光/紫外LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng)、水平結(jié)構(gòu)/倒裝結(jié)構(gòu)/垂直結(jié)構(gòu)/高壓LED芯片設(shè)計(jì)與制造工藝、LED失效機(jī)理與可靠性這三個(gè)方面系統(tǒng)闡述Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計(jì)和制造技術(shù)。《BR》本書共六章，第一章對(duì)Ⅲ族氮化物L(fēng)ED的發(fā)展歷程、工作原理和物性參數(shù)進(jìn)行了全面的介紹；第二章詳細(xì)闡述了藍(lán)