本書介紹了紅外探測領(lǐng)域的基本概念、研究進展和發(fā)展趨勢。全書旨在為從事紅外探測器設(shè)計以及應(yīng)用的科研人員，深入介紹本領(lǐng)域的專業(yè)基礎(chǔ)、分析方法、技術(shù)進展和發(fā)展趨勢，為新型紅外焦平面器件的研發(fā)提供一定的基礎(chǔ)理論指導和技術(shù)支持。

本書以著名光子學家郭光燦院士指出的“書乃明理于本始，惠澤于世人……探微索隱，刻意研精，識其真要，奉獻讀者”為旨要，以12章成體，以激光單元技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)為用。首先對各種單元技術(shù)結(jié)構(gòu)特點、運轉(zhuǎn)機理等基礎(chǔ)知識進行介紹；然后分別介紹激光調(diào)制、偏轉(zhuǎn)、調(diào)Q、超短脈沖、放大、橫模選取、縱模選取、穩(wěn)頻、非線性光學、激光微束等技術(shù)，其各自獨立解剖展示技術(shù)特性、運轉(zhuǎn)機理等內(nèi)容；最后，介紹激光在各個領(lǐng)域中的應(yīng)用。本書著重論述與分析物理基本原理和概念，通過大量實例來深入淺出地剖析激光技術(shù)的應(yīng)用，并展示激光技術(shù)的**成

半導體光電子學是研究半導體光子和光電子器件的學科，涉及各種半導體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術(shù)，在能源、顯示、傳感和通信等領(lǐng)域都擁有廣泛的應(yīng)用。《BR》本書主要包括半導體材料基本性質(zhì)、半導體光電子器件基本結(jié)構(gòu)、載流子注入與速率方程、半導體激光器基本理論、光信號調(diào)制、半導體光電探測器、太陽能光熱與光伏、半導體光調(diào)制器和光子集成器件，以及半導體光電子器件制造技術(shù)等內(nèi)容，系統(tǒng)介紹了半導體光電子器件中涉及的基本物理概念和制作方法，分析器件的基本工作原理，可以為將來從事半導體光電子器件研究和光纖

本書以寬禁帶半導體微結(jié)構(gòu)與光電器件光學表征為主線，按照面向?qū)捊麕О雽�體前沿課題，注重先進光電器件與材料微結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)性質(zhì)和過程進行光學表征，以提升寬禁帶半導體光電子器件性能為目的的原則安排全書內(nèi)容，從應(yīng)用基礎(chǔ)研究和研發(fā)先進光電子器件的角度出發(fā)，組織全國在該領(lǐng)域前沿進行一線科研工作的學者進行編寫，力爭用通俗易懂的語言，由淺入深，系統(tǒng)、詳細地介紹寬禁帶半導體光電器件的微納結(jié)構(gòu)生長、摻雜、受激輻射特性、量子效率測量，以及寬禁帶半導體在紫外探測、微尺寸LED、高效太陽能電池等領(lǐng)域的應(yīng)用，突出前沿和瓶頸問題