本書全面介紹了基于Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探測器的*技術(shù),涵蓋不同的襯底及外延方法,InAlGaN材料的光學、電學和結(jié)構(gòu)特性以及各種光電子器件,如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探測器。此外,綜述了紫外發(fā)光器件和探測的一些關鍵應用領域,包括水凈化、光療、氣敏、熒光激發(fā)、植物生長照明和UV固化。本書含有大量翔實的圖表和參考文獻,可供讀者進一步了解和認識氮化物紫外光電器件及其應用。本書由德國、美國、日本、愛爾蘭等國的知名專家共同執(zhí)筆,各章的作者都在相關領域有著豐富的經(jīng)驗,其對技術(shù)發(fā)展的獨到見解,能夠開拓讀者思路,為國內(nèi)氮化物紫外光電子器件的發(fā)展提供借鑒和參考。本書可供電氣工程、材料科學、物理學研究生層次的學生、研究人員和科學家,以及將紫外發(fā)光器件和探測器用到各種領域的開發(fā)人員參考。
1. 本書系統(tǒng)性地總結(jié)了全球紫外光電子器件的研究進展。詳細介紹了用于紫外光電子的氮化物襯底、外延、材料物理以及紫外發(fā)光二極管、激光器以及紫外探測器的制備。
2. 由德國柏林工業(yè)大學固體物理研究所的Michael Kneissl教授和Jens Rass教授召集德國、美國、日本、愛爾蘭等近50名全球知名專家共同編寫。
3. 除基礎理論外,本書精心選擇紫外光電子的重點應用領域加以詳述:(1)UVA光譜范圍內(nèi)的重要應用包括UV固化和紫外感測;(2)UV-B的關鍵應用是光療,特別是牛皮癬和白癜風的治療,以及植物生長照明例如靶向觸發(fā)次生植物代謝物;(3)UVC的大規(guī)模應用是水凈化例如使用端系統(tǒng),廢水處理和回收,以及醫(yī)療器械和食品的消毒。
譯者前言半導體領域中,Ⅲ族氮化物的發(fā)展一直是過去幾十年,尤其是1993年以來至關重要的方向,特別是高能量光電子器件的技術(shù)進步和應用開發(fā),是半導體領域最引人關注的研究工作。2014年,隨著氮化物藍光LED發(fā)明人獲得諾貝爾獎,藍光LED的研發(fā)已經(jīng)達到巔峰。與此對應,技術(shù)難度更大的Ⅲ族氮化物基紫外光電器件正逐步向人們走來,這其中有紫外發(fā)光二極管、激光器以及相關的紫外探測器,其目標都是向更高Al組分、更短波長發(fā)展,以期實現(xiàn)AlGaN全系的高性能紫外光電器件。諾貝爾獎得主,日本名古屋大學教授天野浩就在藍光之后一直從事紫外發(fā)光器件方面的研究,主要是波長為250~350nm的紫外LED,這種LED除了殺菌用途外,預計還可應用于印刷、醫(yī)療、科學等領域。使用AlGaN或InAlGaN制作紫外光源的主要優(yōu)點是:① 具有通過量子阱(QW)獲得高效率光發(fā)射的可能性;② 具有在寬帶隙光譜區(qū)域內(nèi)同時產(chǎn)生p型和n型半導體的可能性;③ 氮化物硬度高并且器件壽命更長;④ 材料中沒有砷、汞和鉛等有毒有害物質(zhì);⑤ LED固有的優(yōu)點,開關快速、能耗低、體積小等,不需要任何預熱時間,并且可以幾十納秒或更快的切換速度開啟和關閉。根據(jù)光譜范圍,人們劃分了UVA(320~400nm),UVB(280~320nm)和UVC(200~280nm)的范圍。而LED的優(yōu)勢使得研究人員預期了很多的應用領域:UVA光譜范圍內(nèi)的重要應用包括油墨、涂料、樹脂、聚合物和黏合劑的UV固化,以及快速原型和輕型結(jié)構(gòu)的3D打印。其他應用可以在感測領域找到,例如,增白劑或熒光增白劑,探測安全的功能,例如,身份證和紙幣以及醫(yī)療應用如血液氣體分析。UVB的關鍵應用是光療,特別是牛皮癬和白癜風的治療,以及植物生長照明,例如靶向觸發(fā)次生植物代謝物。UVC的大規(guī)模應用是水凈化(例如末端系統(tǒng))、廢水處理和回收,以及醫(yī)療器械和食品的消毒。UVB和UVC-LED也有許多傳感應用,因為許多氣體(如SO2,NOx,NH3)和生物分子在這些光譜區(qū)顯示出吸收帶,包括色氨酸、NADH、酪氨酸、DNA和RNA。UVC-LED也可以用于非視距通信,也是重力傳感器領域中基礎科學實驗的興趣所在,例如ESA/NASA激光干涉儀空間天線(LISA)任務中,用于實現(xiàn)電荷管理系統(tǒng)。諸多優(yōu)勢需要面對的現(xiàn)實就是技術(shù)上尚未成熟,需要更多的研發(fā)和合作,讓產(chǎn)學研、產(chǎn)業(yè)鏈上下游能夠協(xié)同起來,把氮化物紫外發(fā)光器件推向如藍光LED般的高度。譯者所在研發(fā)中心已有10多年深紫外LED的開發(fā)歷程,深知其長產(chǎn)業(yè)鏈的難度以及技術(shù)開發(fā)積累的重要性。本書主編Michael Kneissl教授和Jens Rass教授均就職于德國柏林工業(yè)大學固體物理研究所與萊布尼茨高頻技術(shù)學院,費迪南德-布朗學院。本書非常及時而且全面地總結(jié)了目前氮化物紫外發(fā)光器件的最新進展,對于我們進一步研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化是很好的借鑒。希望本書的翻譯出版能使更多的人了解這個領域,更多的人參與到這個領域,從而實現(xiàn)廣泛的技術(shù)交流和應用開發(fā),能夠為Ⅲ族氮化物紫外光電器件產(chǎn)業(yè)提供幫助。因本書原著中采用英制學非國際標準的計量單位,為了保持原書中數(shù)據(jù)的直觀性,翻譯時并未對單位進行改變,讀者使用數(shù)據(jù)時請用本書列出的單位換算表進行換算即可。鑒于專業(yè)所限以及文學修養(yǎng)不足,書中疏漏難免,希望讀者海涵并能夠指正為盼。這里要感謝中國科學院半導體照明研發(fā)中心的全體同事在氮化物材料、器件、封裝、應用方面的工作,尤其是他們在紫外器件方面的工作,也讓譯者能夠更貼切地表達出原文的專業(yè)術(shù)語。謝海忠老師等對翻譯進行了校對,在此一并致謝。段瑞飛 王軍喜 李晉閩中國科學院半導體照明研發(fā)中心2018年于北京前言過去的二十年中,Ⅲ族氮化物基紫外發(fā)光二極管(UV-LED)及其應用經(jīng)歷了飛速的發(fā)展。這可以通過許多方面來說明。例如,在紫外LED領域發(fā)表的文章數(shù)量正穩(wěn)步上升,并在2014年時達到幾乎每年1000篇期刊文章(圖1)。然而,我們發(fā)現(xiàn),這樣快速增長使得人們很難對所有研究進展有全面的概述。很多時候,當半導體材料和光電子器件領域的研究人員描述紫外發(fā)光器件的應用時,會發(fā)現(xiàn)這些信息的系統(tǒng)性不夠。另一方面,在各個領域應用紫外發(fā)光器件和探測器的開發(fā)人員和工程師往往不理解材料和器件開發(fā)的復雜性。本書的目的就是把所有這些進展置于同一背景下,提供Ⅲ族氮化物材料、紫外光電器件及其應用的最新技術(shù)的全面綜述。目標讀者為研究人員和電氣工程師,材料科學、物理學研究生以及科學家,將紫外發(fā)光器件和探測器應用到各領域的開發(fā)人員。本書提供了Ⅲ族氮化物材料的概述,包括其結(jié)構(gòu)、光學和電學性質(zhì)以及各種光電元器件,如UV-LED、紫外激光器和光電探測器的關鍵性能。本書還提供了一些關鍵紫外發(fā)光器件和探測器應用的介紹,包括水凈化、光療、氣敏傳感、熒光激發(fā)、植物生長照明和UV固化。雖然每個章節(jié)都是獨立的,并可以不需其他章節(jié)的知識來理解,但對各章的組織也是有意選擇的。首先集中于基礎材料的屬性,隨后章節(jié)集中在紫外器件,而最后幾個章節(jié)描述紫外發(fā)光器件和探測器的關鍵應用。在第1章,Michael Kneissl介紹了Ⅲ族氮化物紫外發(fā)光器件的技術(shù)及其應用。第2章Matthias Bickermann回顧了氮化鋁體襯底的生長和結(jié)構(gòu)特性。第3章中,Eberhard Richter,Sylvia Hagedorn,Arne Knauer和Markus Weyers回顧了使用藍寶石作為襯底用于UV范圍內(nèi)氮化物基發(fā)光器件,尤其是氫化物氣相外延生長低缺陷密度的AlGaN模板。第4章中,Hideki Hirayama討論了藍寶石襯底上低缺陷密度的AlN以及AlGaN層晶體生長技術(shù),并給出最先進的藍寶石DUV-LED性能特性。第5章中,Shigefusa F. Chichibu,Hideto Miyake,Kazumasa Hiramtsu和Akira Uedono深入討論了位錯和點缺陷對近帶邊發(fā)射AlGaN基DUV發(fā)光材料內(nèi)量子效率的影響。第6章理解缺陷對UV-LED IQE的作用對于提高紫外LED效率和輸出功率至關重要。器件方面,UV-LED的光偏振和光提取等由Jens Rass和Neysha Lobo-Ploch給予綜述。AlN體襯底上UVC-LED的同質(zhì)外延生長及其在水消毒中應用由James R.Grandusky,Rajul V. Randive,Therese C. Jordan和Leo J. Schowalter在第7章綜述。Noble M.Johnson,John E.Northrup和Thomas Wunderer在第8章討論了AlGaN量子阱激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的光學增益,并展示了AlGaN基紫外激光二極管發(fā)展現(xiàn)狀。而在第9章,日盲和可見光盲紫外光電探測器由Moritz Brendel,Enrico Pertzsch,Vera Abrosimova和Torsten Trenkler進行了回顧。第10章中,Marlene A.Lange,Tim Kolbe和Martin Jekel檢查了UVC-LED的水消毒應用,同時第11章中,Uwe Wollina,Bernd Seme,Armin Scheibe和Emmanuel Gutmann描述了紫外發(fā)光器件在皮膚病光療中的應用。第12章中,Hartmut Ewald和Martin Degner回顧了紫外發(fā)光器件在氣體傳感中的應用,而第13章Emmanuel Gutmann,F(xiàn)lorian Erfurth,Anke Drewitz,Armin Scheibe和Martina C.Meinke討論了化學和生命科學領域的紫外熒光檢測和光譜系統(tǒng)應用。第14章,Monika Schreiner,Inga Mewis,Susanne Neugart,Rita Zrenner,Melanie Wiesner,Johannes Glaab和Marcel.A.K. Jansen綜述了UV LED的植物生長照明應用,特別是適用UVB光譜的次生植物代謝物誘導。最后一章中,UV LED固化應用由Christian Dreyer和Franziska Mildner綜述。我們要感謝各章的所有作者及時且準備充分的貢獻。沒有他們的付出,辛勤工作和持之以恒,不可能會有這本書。我們也要特別感謝施普林格科學出版社的Claus Ascheron,他提供我們編輯這本書的機會并在此期間給予持續(xù)支持。Michael KneisslJens Rass德國柏林
段瑞飛,中國科學院半導體研究所博士,北京中科優(yōu)唯科技有限公司副總經(jīng)理,氮化物半導體物理、材料、器件以及應用十多年研究經(jīng)驗,致力于氮化物深紫外LED的產(chǎn)業(yè)化。王軍喜,研究員,博導,中國科學半導體照明研發(fā)中心副主任,帶領團隊在國內(nèi)首先制備出深紫外LED專用設備,開拓性實現(xiàn)國內(nèi)300nm以下毫瓦級LED器件,填補了國內(nèi)在該領域的空白。李晉閩,原中國科學院半導體研究所所長,科技部半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任,國家半導體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟研發(fā)主席兼聯(lián)盟標準化委員會主任。半導體照明外延、芯片及應用集成技術(shù)團隊的發(fā)起人和領導者。
第1章氮化物紫外光電子器件技術(shù)及應用概述/001
摘要001
1.1背景002
1.2UV發(fā)光器件及其應用003
1.3UV-LED的最新技術(shù)和未來挑戰(zhàn)004
1.4UV-LED的主要參數(shù)和器件性能007
1.5缺陷對UV-LED IQE的作用008
1.6UV-LED的電注入效率和工作電壓010
1.7UV-LED的光提取011
1.8UV-LED的熱管理與退化012
1.9展望013
1.10小結(jié)014
致謝015
參考文獻015
第2章AlN體襯底的生長與性能/025
摘要025
2.1AlN晶體的特性與歷史026
2.2PVT法生長AlN體單晶:理論027
2.3PVT法生長AlN體單晶:技術(shù)029
2.4籽晶生長與晶體長大031
2.5PVT生長AlN體單晶的結(jié)構(gòu)缺陷033
2.6AlN襯底的雜質(zhì)及相應性質(zhì)034
2.7結(jié)論與展望037
致謝038
參考文獻038
第3章藍寶石襯底上氮化物UV發(fā)光器件用AlGaN層氣相外延/044
摘要044
3.1簡介045
3.2MOVPE生長Al(Ga)N緩沖層046
3.3減少MOVPE生長Al(Ga)N層TDD的技術(shù)048
3.4HVPE生長AlGaN層050
3.4.1HVPE技術(shù)基礎050
3.4.2襯底的選擇053
3.4.3HVPE選擇生長AlGaN層結(jié)果054
3.5小結(jié)062
致謝063
參考文獻063
第4章AlN/AlGaN生長技術(shù)和高效DUV-LED開發(fā)/067
摘要067
4.1簡介068
4.2DUV-LED研究背景068
4.3藍寶石襯底上高質(zhì)量AlN的生長技術(shù)073
4.4內(nèi)量子效率(IQE)的顯著提高076
4.5222~351nm AlGaN和InAlGaN
DUV-LED080
4.6電注入效率(EIE)通過MQB的增加086
4.7未來高光提取效率(LEE)的LED設計092
4.8小結(jié)098
參考文獻098
第5章位錯和點缺陷對近帶邊發(fā)射AlGaN基DUV發(fā)光材料內(nèi)量子效率的影響/101
摘要101
5.1簡介103
5.2實驗細節(jié)104
5.3雜質(zhì)和點缺陷對AlN近帶邊發(fā)光動力學的影響107
5.4AlxGa1-xN薄膜的近帶邊有效輻射壽命112
5.5硅摻雜及引起的陽離子空位形成對AlN模板上生長Al0.6Ga0.4N薄膜近帶邊發(fā)光的發(fā)光動力學影響113
5.6小結(jié)117
致謝118
參考文獻118
第6章UV-LED的光偏振和光提取/122
摘要122
6.1紫外LED光提取123
6.2光偏振125
6.2.1影響AlGaN層光偏振開關的因素127
6.2.2光學偏振與襯底方向的關系130
6.2.3光學偏振對光提取效率的影響132
6.3改善光提取的概念134
6.3.1接觸材料與設計134
6.3.2表面制備138
6.3.3封裝144
參考文獻145
第7章半導體AlN襯底上高性能UVC-LED的制造及其使用點水消毒系統(tǒng)的應用前景/151
摘要151
7.1簡介153
7.1.1UVC光源類型153
7.1.2什么是UVC光?153
7.1.3紫外殺菌如何工作?155
7.2AlN襯底上UVC LED的制造156
7.3提升POU水消毒用的UVC-LED性能增益162
7.3.1UVT效應162
7.3.2設計靈活性164
7.3.3流動單元建模165
7.3.4流動分析案例165
7.3.5UVC光的使用168
參考文獻169
第8章AlGaN基紫外激光二極管/171
摘要171
8.1簡介172
8.2AlN體材上的最高材料質(zhì)量生長174
8.2.1AlN體襯底174
8.2.2同質(zhì)外延AlN174
8.2.3AlGaN激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)175
8.2.4多量子阱有源區(qū)176
8.3寬帶隙AlGaN材料的大電流能力177
8.4大電流水平下的高注入效率180
8.5光泵浦UV激光器183
8.6緊湊深紫外Ⅲ-N激光器的其他概念186
8.6.1電子束泵浦激光器186
8.6.2InGaN基VECSEL 二次諧波產(chǎn)生187
8.7小結(jié)187
致謝188
參考文獻188
第9章日盲和可見光盲AlGaN探測器/192
摘要192
9.1簡介193
9.2光電探測器基礎195
9.2.1特征參數(shù)與現(xiàn)象195
9.2.2各種類型的半導體光電探測器202
9.3Ⅲ族氮化物用于固態(tài)UV光電檢測211
9.3.1AlGaN基光電導體213
9.3.2AlGaN基MSM光電探測器213
9.3.3AlGaN基肖特基勢壘光電二極管214
9.3.4AlGaN基PIN光電二極管215
9.3.5AlGaN基雪崩光電探測器217
9.3.6AlGaN基光陰極219
9.3.7高度集成的Ⅲ氮族器件220
9.4寬禁帶光電探測器現(xiàn)狀221
9.5小結(jié)223
參考文獻224
第10章紫外LED水消毒應用/234
摘要234
10.1簡介235
10.2紫外消毒的基本原則235
10.2.1影響紫外能流的因素237
10.2.2紫外反應器性能的建模與驗證239
10.3案例分析240
10.3.1測試紫外LED的實驗設置提案241
10.3.2測試條件243
10.3.3使用紫外LED測試的結(jié)果246
10.4紫外LED水消毒應用潛力251
致謝252
參考文獻252
第11章紫外發(fā)光器件皮膚病光療應用/256
摘要256
11.1簡介257
11.2紫外光療的光源257
11.2.1自然日光258
11.2.2氣體放電燈259
11.2.3激光器261
11.2.4UV-LED261
11.3皮膚紫外光療的變化262
11.3.1補骨脂素加UVA(PUVA)治療262
11.3.2寬譜UVB(BB-UVB)治療263
11.3.3窄譜UVB(NB-UVB)治療264
11.3.4UVA-1治療265
11.3.5靶向紫外光療265
11.3.6體外光化學治療(ECP)266
11.4主要皮膚適應證的作用機制267
11.4.1牛皮癬268
11.4.2特應性皮炎268
11.4.3白癜風269
11.4.4皮膚T細胞淋巴瘤269
11.4.5扁平蘚和斑禿269
11.4.6全身性硬化癥和硬斑病270
11.4.7移植體抗宿主病270
11.4.8多形性日光疹270
11.5采用新型UV發(fā)光器件的臨床研究271
11.5.1使用無極準分子燈的研究271
11.5.2使用紫外LED的研究272
11.6總結(jié)與展望273
參考文獻273
第12章紫外發(fā)光器件氣體傳感應用/281
摘要281
12.1簡介282
12.2吸收光譜284
12.3吸收光譜系統(tǒng)288
12.4紫外光譜儀光源291
12.5光譜儀用LED的光學和電學性質(zhì)295
12.6UV-LED吸收光譜儀的應用298
12.6.1臭氧傳感器299
12.6.2臭氧傳感器設計299
12.6.3測量配置300
12.6.4結(jié)果300
12.6.5SO2和NO2傳感器301
12.6.6SO2/NO2氣體排放傳感器設計301
12.6.7測量配置302
12.7結(jié)論與展望303
參考文獻304
第13章化學與生命科學中的紫外熒光探測和光譜儀/306
摘要306
13.1簡介307
13.2熒光檢測和光譜儀的基礎和裝置308
13.3實驗室分析儀器用熒光313
13.4環(huán)境監(jiān)測和生物分析用熒光化學傳感315
13.5用自發(fā)熒光探測微生物322
13.6皮膚病醫(yī)療診斷用熒光326
13.7總結(jié)與展望329
參考文獻329
第14章UVB誘導次生植物代謝物/339
摘要339
14.1次生植物代謝物的本質(zhì)和形成340
14.2次生植物代謝物的營養(yǎng)生理學341
14.3水果蔬菜消費與慢性病的關系342
14.4植物-環(huán)境相互作用中的次生植物代謝物342
14.4.1植物的UVB感知和信令342
14.4.2UVB應激源及植物生長調(diào)節(jié)劑344
14.5結(jié)構(gòu)分化UVB響應345
14.5.1類黃酮和其他酚類346
14.5.2硫代葡萄糖苷349
14.6定制的UVB-LED次生植物代謝物UVB誘導351
14.6.1研究現(xiàn)狀:UVB-LED用于植物照明351
14.6.2UVB-LED針對性植物屬性觸發(fā)的優(yōu)勢352
14.6.3UVB-LED針對性植物屬性觸發(fā)實驗裝置353
14.7展望354
參考文獻354
第15章紫外LED固化應用/365
摘要365
15.1簡介366
15.2光源367
15.3化學機制368
15.4動力學371
15.5醫(yī)學應用372
15.6涂層、油墨和印刷375
15.7光固化快速成型377
15.8結(jié)論與展望378
參考文獻379
專業(yè)術(shù)語中英文對照表383
單位換算表400