本書基于課題組的研究成果和研究方向，對目前主流采用的半導體微納制造技術(shù)進行歸納，結(jié)合已得到驗證的理論進行部分機理的論述，結(jié)合半導體微納光電器件的發(fā)展現(xiàn)狀闡述半導體微納器件的應(yīng)用及發(fā)展趨勢。首先對半導體微納器件的制造技術(shù)從圖形化襯底技術(shù)、外延生長技術(shù)和刻蝕技術(shù)三方面進行系統(tǒng)的概述，然后對器件的電注入機理及等離子基元局域增強效應(yīng)進行機理論述，最后結(jié)合新型半導體器件歸納半導體微納器件的功能及發(fā)展。

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