本書(shū)著重講授光電子探測(cè)與成像器件的基礎(chǔ)理論和基本知識(shí),內(nèi)容包括:半導(dǎo)體光電探測(cè)器、光電倍增管、微光像增強(qiáng)器等。
第1章 光電導(dǎo)探測(cè)器
1.1 光電子器件的基本特性
1.1.1 光譜響應(yīng)率和響應(yīng)率
1.1.2 小可探測(cè)輻射功率和探測(cè)率
1.1.3 光吸收系數(shù)
1.2 光電導(dǎo)探測(cè)器原理
1.2.1 光電導(dǎo)效應(yīng)
1.2.2 光電導(dǎo)電流
1.2.3 光電導(dǎo)增益
1.2.4 光電導(dǎo)靈敏度
1.2.5 光電導(dǎo)惰性和響應(yīng)時(shí)間
1.2.6 光電導(dǎo)的光譜響應(yīng)特性
1.2.7 電壓響應(yīng)率
1.2.8 探測(cè)率D
1.3 光敏電阻
1.3.1 光敏電阻的結(jié)構(gòu)
1.3.2 光敏電阻的特性
第2章 結(jié)型光電探測(cè)器
2.1 光生伏特效應(yīng)
2.1.1 PN結(jié)
2.1.2 PN結(jié)光生伏特效應(yīng)
2.2 光電池
2.2.1 光電池的結(jié)構(gòu)
2.2.2 光電池的電流與電壓
2.2.3 光電池的主要特性
2.3 光電二極管
2.3.1 PN結(jié)型光電二極管
2.3.2 PIN型光電二極管
2.3.3 雪崩型光電二極管(APD)
2.4 光電三極管
2.4.1 光電三極管結(jié)構(gòu)和工作原理
2.4.2 光電三極管的主要性能參數(shù)
第3章 光電陰極與光電倍增管
3.1 光電發(fā)射過(guò)程
3.1.1 外光電效應(yīng)
3.1.2 金屬的光譜響應(yīng)
3.1.3 半導(dǎo)體光電發(fā)射過(guò)程
3.1.4 實(shí)用光電陰極
3.2 負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極
3.2.1 負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極的原理
3.2.2 NEA光電陰極中的電子傳輸過(guò)程
3.2.3 NEA陰極的量子產(chǎn)額
3.2.4 負(fù)電子親和勢(shì)陰極的工藝及結(jié)構(gòu)
3.3 真空光電管
3.3.1 真空光電管工作原理
3.3.2 真空光電管的主要特性
3.4 光電倍增管
3.4.1 光電倍增管結(jié)構(gòu)和工作原理
3.4.2 光電倍增管主要特性和參數(shù)
3.4.3 光電倍增管的供電電路
第4章 微光像增強(qiáng)器
第5章 攝像管
第6章 CCD和S成像器件
第7章 致冷型紅外成像器件
第8章 微測(cè)輻射計(jì)紅外成像器件
第9章 熱釋電探測(cè)器和成像器件
0章 紫外探測(cè)與成像器件
1章 X射線探測(cè)與成像器件
參考文獻(xiàn)