高等職業(yè)教育機電類專業(yè)“十一五”規(guī)劃教材：模擬電子技術(shù)
定 價：28 元
- 作者：汪濤 ，王爽 編
- 出版時間：2010/1/1
- ISBN：9787118066647
- 出 版 社：國防工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TN01
- 頁碼：217
- 紙張：膠版紙
- 版次：1
- 開本：16開
《模擬電子技術(shù)》共分9章，第1章為半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用電路分析，第2章為晶體三極管及其基本放大電路，第3章為場效應(yīng)管及其基本放大電路，第4章為多級放大電路，第5章為負(fù)反饋放大電路，第6章為集成運算放大器及其應(yīng)用，第7章為信號發(fā)生電路，第8章為低頻功率放大電路，第9章為直流穩(wěn)壓電源。
《模擬電子技術(shù)》可作為高職高專與成人教育機電類、電子類、電氣類、通信類及自動控制類等專業(yè)的教材，也可作為中職、社會培訓(xùn)、考證機構(gòu)、工程技術(shù)人員和相關(guān)專業(yè)自學(xué)考試的教材或參考用書。
本書遵照教育部提出的以就業(yè)為導(dǎo)向、高職高專教育從專業(yè)本位向職業(yè)崗位和就業(yè)為本轉(zhuǎn)變的指導(dǎo)思想，在編寫的過程中力求按照由淺入深、由易到難、由簡到繁、循序漸進(jìn)的順序，在保證必要的基本理論、基本知識、基本分析方法和技能的基礎(chǔ)上，強調(diào)知識的深度與廣度的結(jié)合；注重內(nèi)容的精選，突出重點；講解上盡量減少理論的推導(dǎo)，力求通俗易懂，強調(diào)知識的應(yīng)用；每章開始部分都有本章的學(xué)習(xí)目標(biāo)，結(jié)尾有本章小結(jié)和思考與練習(xí)題，以幫助讀者加深對知識的理解與應(yīng)用，提高分析問題和解決問題的能力。
本書由汪濤、王爽擔(dān)任主編，汪濤負(fù)責(zé)全書的規(guī)劃、組織、統(tǒng)稿和審稿，李德明、奚洋、王博擔(dān)任副主編。湖北成寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院副院長張業(yè)明副教授、孫官武高級教師擔(dān)任主審，為本書提出了不少寶貴意見。本書在編寫過程中得到了以下領(lǐng)導(dǎo)和老師們的大力支持與幫助：成寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院副院長吳高嶺教授、方新平副教授、余佑財副教授、吳濤和江喜娥老師；合肥通用職業(yè)技術(shù)學(xué)院吳秣陵副教授、陳棟高級工程師和吳金權(quán)老師。
全書具體編寫工作分配如下：成寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院汪濤編寫第1章、第3章、第6章中第3節(jié)和第4節(jié)，合肥通用職業(yè)技術(shù)學(xué)院王爽編寫第7章、第8章、第6章第1節(jié)，湖北長江職業(yè)技術(shù)學(xué)院李德明編寫第4章、第5章，咸寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院奚洋編寫第2章、第6章第2節(jié)，咸寧職業(yè)技術(shù)學(xué)院王博編寫第9章。
第1章 半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用電路分析
1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識
1.1.1 本征半導(dǎo)體
1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
1.1.3 PN結(jié)及其特性
1.2 半導(dǎo)體二極管
1.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)與符號
1.2.2 二極管的特性
1.2.3 二極管的主要參數(shù)
1.2.4 二極管的識別與檢測
1.3 半導(dǎo)體二極管的電路模型分析
1.4 半導(dǎo)體二極管的基本應(yīng)用
1.4.1 二極管限幅電路
1.4.2 二極管門電路
1.5 特殊二極管
1.5.1 穩(wěn)壓二極管
1.5.2 發(fā)光二極管
1.5.3 光電二極管
1.5.4 光電耦合器件
1.5.5 變?nèi)荻䴓O管
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第2章 晶體三極管及其基本放大電路
2.1 晶體三極管
2.1.1 晶體三極管的結(jié)構(gòu)和放大原理
2.1.2 晶體三極管的特性曲線
2.1.3 晶體三極管的主要參數(shù)
2.1.4 晶體三極管的命名與引腳識別
2.2 共發(fā)射極基本放大電路
2.2.1 共發(fā)射極基本放大電路的組成
2.2.2 共發(fā)射極基本放大電路的靜態(tài)分析
2.2.3 共發(fā)射極基本放大電路的動態(tài)分析
2.3 靜態(tài)工作點的穩(wěn)定及其偏置電路
2.3.1 溫度對靜態(tài)工作點的影響
2.3.2 分壓式偏置共射極放大電路
2.4 共集電極放大電路
2.4.1 靜態(tài)分析
2.4.2 動態(tài)分析
2.5 共基極放大電路
2.5.1 靜態(tài)分析
2.5.2 動態(tài)分析
2.5.3 三種基本放大電路的比較
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第3章 場效應(yīng)管及其基本放大電路
3.1 結(jié)型場效應(yīng)管
3.1.1 結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
3.1.2 結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理和特性曲線
3.2 絕緣柵型場效應(yīng)管
3.2.1 N溝道增強型MOS場效應(yīng)管
3.2.2 N溝道耗盡型MOS場效應(yīng)管
3.2.3 P溝道MOS場效應(yīng)管
3.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)及使用注意事項
3.3.1 場效應(yīng)管的主要參數(shù)
3.3.2 使用場效應(yīng)管的注意事項
3.4 場效應(yīng)管與三極管的比較
3.5 場效應(yīng)管放大電路
3.5.1 共源極基本放大電路
3.5.2 共漏極基本放大電路
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第4章 多級放大電路
4.1 多級放大電路的組成與耦合方式
4.1.1 多級放大電路的組成
4.1.2 多級放大電路的耦合方式
4.2 多級放大電路的分析
4.2.1 多級放大電路的靜態(tài)工作點分析
4.2.2 多級放大電路的動態(tài)分析
4.3 放大電路的頻率特性
4.3.1 頻率響應(yīng)的概念
4.3.2 單級阻容耦合放大電路的頻率特性
4.3.3 多級放大電路的頻率特性
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第5章 負(fù)反饋放大電路
5.1 反饋的基本概念
5.1.1 反饋的概念
5.1.2 反饋放大電路的基本關(guān)系式
5.2 放大電路中反饋類型的判斷
5.2.1 正、負(fù)反饋及其判定方法
5.2.2 直流反饋和交流反饋
5.2.3 電壓反饋和電流反饋
5.2.4 串聯(lián)反饋和并聯(lián)反饋
5.2.5 交流負(fù)反饋放大電路的四種組態(tài)
5.3 負(fù)反饋對放大電路性能的影響
5.3.1 減小環(huán)路內(nèi)的非線性失真
5.3.2 提高增益的穩(wěn)定性
5.3.3 擴展通頻帶
5.3.4 改變輸入電阻和輸出電阻
5.3.5 放大電路引入負(fù)反饋的一般原則
5.4 深度負(fù)反饋放大電路的估算
5.4.1 深度負(fù)反饋的特點
5.4.2 深度負(fù)反饋放大電路的參數(shù)估算
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第6章 集成運算放大器及其應(yīng)用
6.1 差分放大電路
6.1.1 零點漂移
6.1.2 基本差分放大電路
6.1.3 長尾式差分放大電路
6.1.4 具有調(diào)零電路的差分放大電路
6.1.5 差分放大電路的四種接法
6.2 集成運算放大器
6.2.1 集成運放的組成、符號及外形
6.2.2 集成運放的種類
6.2.3 集成運放的主要參數(shù)
6.2.4 理想集成運放的性能指標(biāo)
6.2.5 集成運放的電壓傳輸特性
6.3 集成運算放大器的線性應(yīng)用
6.3.1 比例運算電路
6.3.2 法運算電路
6.3.3 減法運算電路
6.3.4 積分與微分電路
6.4 有源濾波器
6.4.1 基本概念
6.4.2 低通濾波器
6.4.3 高通濾波器
6.4.4 帶通濾波器和帶阻濾波器
本章小結(jié)
思考與練習(xí)題
第7章 信號發(fā)生電路
7.1 E弦波振蕩電路
7.1.1 正弦波振蕩電路的基本概念
……
第8章 低頻功率放大電路
第9章 直流穩(wěn)壓電源
參考文獻(xiàn)
自由電子和空穴既產(chǎn)生又復(fù)合，最終達(dá)到相對的動態(tài)平衡。從宏觀上看兩種載流子的濃度保持定值并且相等。但是這個定值與溫度有關(guān)，當(dāng)溫度發(fā)生變化時，即在新的動態(tài)平衡狀態(tài)下，它將保持新的定值。
1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
在本征半導(dǎo)體中摻入不同的微量元素就會得到導(dǎo)電性質(zhì)不同的半導(dǎo)體材料。根據(jù)半導(dǎo)體摻雜特性的不同，可制成N型和P型雜質(zhì)半導(dǎo)體。
1.N型半導(dǎo)體
如果在本征半導(dǎo)體硅或鍺的晶體中摻人微量的五價元素（如磷），那么半導(dǎo)體內(nèi)部的自由電子數(shù)量將增加成千上萬倍，導(dǎo)電能力大幅提高，這類雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體，也稱為電子型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中，自由電子成為半導(dǎo)體導(dǎo)電的多數(shù)載流子（簡稱多子），空穴成為少數(shù)載流子（簡稱少子）。就整塊半導(dǎo)體來說，它既沒有失去電子也沒有得到電子，所以也呈電中性。
2.P型半導(dǎo)體
如果在本征半導(dǎo)體硅或鍺的晶體中摻人微量的三價元素（如硼），那么半導(dǎo)體內(nèi)部空穴的數(shù)量將增加成千上萬倍，其導(dǎo)電能力也將大幅提高。這類雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體，也稱為空穴型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴成為半導(dǎo)體導(dǎo)電的多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。就整塊半導(dǎo)體來說，它既沒有失去電子也沒有得到電子，所以呈電中性。
由上述分析可知，雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能主要由多數(shù)載流子濃度決定，而多數(shù)載流子主要由摻雜產(chǎn)生，所以多數(shù)載流子濃度取決于摻雜濃度，其值相對較大，它基本上不受溫度影響。而少數(shù)載流子由本征激發(fā)產(chǎn)生，其數(shù)量與溫度有關(guān)，溫度越高，其值就越大，反之就越小。
1.1.3 PN結(jié)及其特性
1.PN結(jié)的形成
將N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體通過特殊的工藝結(jié)合在一起，則在這兩種半導(dǎo)體的交界面形成一個極薄的特殊層，這個薄層就是PN結(jié)。由于P型半導(dǎo)體中空穴濃度高、電子濃度低，而N型半導(dǎo)體中電子濃度高、空穴濃度低，因此在交界面附近電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。P區(qū)的空穴要擴散到N區(qū)，并與N區(qū)的電子復(fù)合，在P區(qū)一側(cè)就留下了不能移動的負(fù)離子空間電荷區(qū)。同樣，N區(qū)的電子要擴散到P區(qū)，并與P區(qū)的空穴復(fù)合，在N區(qū)一側(cè)就留下了不能移動的正離子空間電荷區(qū)，如圖1-4所示。這樣在兩種半導(dǎo)體的交界面就形成了一個不能移動的正負(fù)離子空間電荷區(qū)。
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