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先進電子封裝技術(shù)與關鍵材料叢書--TSV 3D RF Integration:HR-Si Interposer Technology(TSV三維射頻集成——高阻硅轉(zhuǎn)接板技術(shù))

先進電子封裝技術(shù)與關鍵材料叢書--TSV 3D RF Integration:HR-Si Interposer Technology(TSV三維射頻集成——高阻硅轉(zhuǎn)接板技術(shù))

定  價:298 元

叢書名:先進電子封裝技術(shù)與關鍵材料叢書

        

  • 作者:馬盛林(Shenglin Ma)、金玉豐(Yufeng Jin) 著
  • 出版時間:2021/12/1
  • ISBN:9787122394842
  • 出 版 社:化學工業(yè)出版社
  • 中圖法分類:TN405 
  • 頁碼:273
  • 紙張:
  • 版次:01
  • 開本:16開
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讀者對象:本書可供微電子先進封裝以及射頻模組領域研究人員、工程技術(shù)人員參考,也可供相關專業(yè)高等院校研究生及高年級本科生學習參考。

三維射頻集成應用是硅通孔(TSV)三維集成技術(shù)的重要應用發(fā)展方向。隨著5G與毫米波應用的興起,基于高阻硅TSV晶圓級封裝的薄膜體聲波諧振器(FBAR) 器件、射頻微電子機械系統(tǒng)(RF MEMS)開關器件等逐漸實現(xiàn)商業(yè)化應用,TSV三維異質(zhì)射頻集成逐漸成為先進電子信息裝備領域工程化應用的關鍵技術(shù)。
本書全面闡述面向三維射頻異質(zhì)集成應用的高阻硅TSV轉(zhuǎn)接板技術(shù),包括設計、工藝、電學特性評估與優(yōu)化等研究,從TSV、共面波導傳輸線(CPW)等基本單元結(jié)構(gòu)入手,到集成無源元件(IPD)以及集成樣機,探討金屬化對高頻特性的影響規(guī)律;展示基于高阻硅TSV的集成電感、微帶交指濾波器、天線等IPD元件;詳細介紹了2.5D集成四通道L波段接收組件、5~10GHz信道化變頻接收機、集成微流道散熱的2~6GHz GaN 功率放大器模塊等研究案例。本書也系統(tǒng)綜述了高阻硅TSV三維射頻集成技術(shù)的國內(nèi)外最新研究進展,并做了詳細的對比分析與歸納總結(jié)。本書兼顧深度的同時,力求從較為全面的視角,為本領域研究人員提供啟發(fā)思路,以助力我國在TSV三維射頻異質(zhì)集成技術(shù)研究的發(fā)展進步。
本書可供微電子先進封裝以及射頻模組領域研究人員、工程技術(shù)人員參考,也可供相關專業(yè)高等院校研究生及高年級本科生學習參考。
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