第一部分 為什么需要一個(gè)有限晶體中的電子態(tài)的理論
第一章 緒論
1.1 建立于平移不變性基礎(chǔ)上的晶體中的電子態(tài)
1.2 幾種典型晶體的能帶結(jié)構(gòu)
1.3 傳統(tǒng)固體物理學(xué)中晶體中電子態(tài)理論的基本困難
1.4 有效質(zhì)量近似
1.5 一些數(shù)值結(jié)果
1.6 本書(shū)的主題及主要結(jié)果
第二部分 一維半無(wú)限和有限晶體中的電子態(tài)
第二章 周期性Sturm-Liouville方程
2.1 基本理論和兩個(gè)基本定理
2.2 Floquet理論
2.3 判別式和線性獨(dú)立解的形式
2.4 周期性Sturm-Liouville方程的譜理論
2.5 周期性Sturm-Liouville方程本征值的帶結(jié)構(gòu)
2.6 關(guān)于解的零點(diǎn)的幾個(gè)定理
第三章 一維半無(wú)限晶體的表面態(tài)
3.1 基本考慮
3.2 兩個(gè)定性關(guān)系
3.3 理想半無(wú)限晶體中的表面態(tài)
3.4 Vout 有限的情況
3.5 一個(gè)普遍的定量形式
3.6 與前人工作的比較和討論
第四章 理想一維有限晶體中的電子態(tài)
4.1 基本考慮
4.2 兩種不同類(lèi)型的電子態(tài)
4.3 依賴(lài)于 的電子態(tài)
4.4 Bloch波駐波態(tài)
4.5 一維對(duì)稱(chēng)有限晶體里的電子態(tài)
4.6 對(duì)于有效質(zhì)量近似的評(píng)論
4.7 關(guān)于表面態(tài)的評(píng)論
4.8 對(duì)兩個(gè)其他問(wèn)題的討論
4.9 小結(jié)
第三部分 低維系統(tǒng)和有限晶體
第五章 理想量子膜中的電子態(tài)
5.1 一個(gè)基本定理
5.2 定理的推論
5.3 理想量子膜里電子態(tài)的基本考慮
5.4 依賴(lài)于3 的電子態(tài)
5.5 Bloch駐波態(tài)
5.6 幾種更有實(shí)際意義的量子膜
5.8 進(jìn)一步的討論
第六章 理想量子線中的電子態(tài)
6.1 基本考慮
6.2 n(k,x;3)的進(jìn)一步量子限域
6.3 n,j3(k,x;3)的進(jìn)一步量子限域
6.4 具有簡(jiǎn)單立方、四角、正交 Bravais 格子的晶體的量子線
6.5 具有面心立方 Bravais 格子的晶體, 表面為 (110) 和 (001) 面的量子線·
6.6 具有面心立方布拉維格子的晶體且其表面為(110)和(1 ?10)的量子線
6.7 具有體心立方 Bravais 格子的晶體, 表面為 (001) 和 (010) 面的量子線
6.8 小結(jié)和討論
第七章 理想有限晶體或量子點(diǎn)中的電子態(tài)
7.1 基本考慮
7.2 ?n (k ?,x;2 ,3 )的進(jìn)一步量子限域
7.3 ?n,j3(k ?,x;2 ,3 )的進(jìn)一步量子限域
7.4 ?n,j2(k ?,x;2 ,3 )的進(jìn)一步量子限域
7.5 ?n,j2,j3(k ?,x;2 ,3 )的進(jìn)一步量子限域
7.6 具有簡(jiǎn)單立方、四角或正交Bravais格子的有限晶體或量子點(diǎn)
7.7 具有面心立方 Bravais 格子, 表面為 (001), (110), (1 ?10) 面的有限晶體
7.8 具有體心立方 Bravais 格子, 表面為 (100), (010), (001) 面的有限晶體
7.9 小結(jié)和討論
第四部分尾 聲
第八章 結(jié)束語(yǔ)
8.1總結(jié)和簡(jiǎn)單的討論
8.2一些有關(guān)的系統(tǒng)
8.3 能否有一個(gè)更普遍的理論?
第五部分附 錄
附錄A Kronig-Penney模型
附錄B 具有限外部勢(shì)場(chǎng)Vout 的一維對(duì)稱(chēng)有限晶體中的電子態(tài)
附錄C 層狀結(jié)構(gòu)晶體
附錄 D ?Λ/? 和 ?Λ /?的解析表達(dá)式
附錄E 一維聲子晶體
附錄G 理想空腔結(jié)構(gòu)中的電子態(tài)