譯者前言
中文版前言
符號(hào)表
第1章 前言
　1.1 光伏的歷史發(fā)展
第2章 太陽(yáng)輻射——光伏能源
　2.1 輻射源太陽(yáng)與輻射接收者地球
　2.2 太陽(yáng)——黑體輻射
　2.3 地球日照輻射的功率與光譜分布
第3章 用于光伏能量轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體材料
　3.1 固體吸收電磁輻射
　3.2 光伏極限轉(zhuǎn)換效率
　3.3 輻射吸收導(dǎo)致載流子生成
　3.4 太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體技術(shù)基礎(chǔ)
　3.5 勻質(zhì)半導(dǎo)體材料中的剩余載流子特征

譯者前言
中文版前言
符號(hào)表
第1章 前言
　1.1 光伏的歷史發(fā)展
第2章 太陽(yáng)輻射——光伏能源
　2.1 輻射源太陽(yáng)與輻射接收者地球
　2.2 太陽(yáng)——黑體輻射
　2.3 地球日照輻射的功率與光譜分布
第3章 用于光伏能量轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體材料
　3.1 固體吸收電磁輻射
　3.2 光伏極限轉(zhuǎn)換效率
　3.3 輻射吸收導(dǎo)致載流子生成
　3.4 太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體技術(shù)基礎(chǔ)
　3.5 勻質(zhì)半導(dǎo)體材料中的剩余載流子特征
　3.6 分離激發(fā)剩余載流子的方法
　3.7 反射損失
第4章 太陽(yáng)電池的晶態(tài)半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)
　4.1 太陽(yáng)電池中的半導(dǎo)體二極管
　4.2 晶體太陽(yáng)電池的基本模型
　4.2.1 電子電流
　4.2.2 空穴電流
　4.2.3 總電流
　4.2.4 光譜靈敏度
　4.3 標(biāo)準(zhǔn)光譜照射
　4.4 太陽(yáng)電池的技術(shù)參數(shù)
　4.5 晶體太陽(yáng)電池的等效電路圖
　4.6 硅二極管太陽(yáng)電池的極限轉(zhuǎn)換效率
第5章 單晶硅太陽(yáng)電池
　5.1 關(guān)于光譜靈敏度的討論
　5.2 發(fā)電特性的溫度特性
　5.3 改進(jìn)型單晶硅太陽(yáng)電池的參數(shù)
　5.4 晶體培育
　5.5 制備
　5.6 高功率太陽(yáng)電池
　5.7 航天應(yīng)用中的太陽(yáng)電池特性退化現(xiàn)象(即輻射損傷)
第6章 多晶硅太陽(yáng)電池
　6.1 SGS太陽(yáng)能級(jí)硅生產(chǎn)原料的制備
　6.2 新型硅精煉工藝
　6.3 多晶硅模塊鑄造法
　6.4 多晶硅中的晶界模型
　6.4.1 光譜剩余載流子密度的計(jì)算
　6.4.2 單一微晶體中光電流密度的二維邊界值問(wèn)題
　6.5 光譜靈敏度與光電流密度的計(jì)算
　6.6 制備
第7章 化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)電池
　7.1 太陽(yáng)電池材料硅和砷化鎵的對(duì)比
　7.2 具有AlGaAs窗口層的GaAs太陽(yáng)電池
　7.3 AlGaAs／GaAs太陽(yáng)電池的模型計(jì)算
　7.4 晶體培育
　7.5 GaAs太陽(yáng)電池的液相外延生長(zhǎng)
　7.6 制備GaAs太陽(yáng)電池的LPE工藝流程
　7.7 用于制備薄膜結(jié)構(gòu)的III／V族半導(dǎo)體氣相外延技術(shù)
　7.8 III／V族半導(dǎo)體材料的疊層結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池
　7.9 III／V族化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)電池的聚光技術(shù)
第8章 非晶硅薄膜太陽(yáng)電池
　8.1 非晶硅特性
　8.2 非晶硅的摻雜
　8.3 a—Si：H太陽(yáng)電池的物理模型
　8.3.1 暗電流
　8.3.2 光電流
　8.4 制備
　8.5 如何減小光退化效應(yīng)
　8.6 a—Si：H太陽(yáng)電池的生產(chǎn)制備
第9章 其他類(lèi)型太陽(yáng)電池
　9.1 晶體硅雙面光敏MIS太陽(yáng)電池
　9.2 銅銦雙硒太陽(yáng)電池
　9.3 a—Si：H／c—Si太陽(yáng)電池
　9.4 球型太陽(yáng)電池
　9.5 有機(jī)半導(dǎo)體太陽(yáng)電池
　9.5.1 有機(jī)分子半導(dǎo)體
　9.5.2 有機(jī)材料太陽(yáng)電池
　9.5.3 染料太陽(yáng)電池
　9.6 第三代太陽(yáng)電池
第10章 展望
附錄A 計(jì)算與表格
　A.1 計(jì)算極限轉(zhuǎn)換率的積分解法
　A.2 擴(kuò)散方程的求解
　A.3 標(biāo)準(zhǔn)光譜AMl.5
　A.4 T=300 K下的硅材料吸收系數(shù)
附錄B 習(xí)題
　習(xí)題2.1 歐洲不同地點(diǎn)的AM值
　習(xí)題2.2 估算太陽(yáng)常數(shù)E0
　習(xí)題2.3 估算柏林地區(qū)的AM(1.5)值
　習(xí)題2.4 太陽(yáng)日常軌道以及柏林地區(qū)所處黃道面上接受的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)能量的日均及年均量
　習(xí)題3.1 丹伯太陽(yáng)電池
　習(xí)題3.2 載流子擴(kuò)散微分方程的二維數(shù)值解
　習(xí)題3.3 在陽(yáng)光照射條件下，尺寸為B×H的p型硅片內(nèi)的電子分布△n(x，y)偏微分方程的解析解
　習(xí)題5.1 硅太陽(yáng)電池分析
　習(xí)題5.01 發(fā)電特性曲線測(cè)量
　習(xí)題5.02 光譜靈敏度測(cè)量
　習(xí)題5.03 測(cè)量太陽(yáng)電池的空間電荷區(qū)電容
　習(xí)題5.04 利用兩種不同照射強(qiáng)度E1和E2下測(cè)得的短路電流Ipk(E)和開(kāi)路電壓UL(E)確定二極管反向飽和電流I0
　習(xí)題5.05 根據(jù)先前確定的反向飽和電流I0曲線上開(kāi)路點(diǎn)UL=U(I=0)的斜率計(jì)算寄生串聯(lián)電阻Rs
　習(xí)題5.06 根據(jù)先前確定的Rs，通過(guò)反向飽和電流I0曲線上短路點(diǎn)Ik=I(U=0)的斜率計(jì)算寄生并聯(lián)電阻Rp
　習(xí)題5.07 計(jì)算基底和發(fā)射極內(nèi)的載流子擴(kuò)散系數(shù)
　習(xí)題5.08 基底內(nèi)少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度
　習(xí)題5.09 計(jì)算較高摻雜區(qū)中的擴(kuò)散長(zhǎng)度
　習(xí)題5.10 外量子效率Qext(γ)的測(cè)量與模擬
　習(xí)題5.11 使用半導(dǎo)體參數(shù)模擬發(fā)電特性曲線I(U)
　習(xí)題7.1 六層太陽(yáng)電池的極限轉(zhuǎn)換率
附錄C 實(shí)踐練習(xí)
　C1 柏林工業(yè)大學(xué)的硅太陽(yáng)電池簡(jiǎn)易工藝
　C2 利用簡(jiǎn)易材料制作染料太陽(yáng)電池
參考文獻(xiàn)
索引