本書(shū)是作者長(zhǎng)期從事直拉硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書(shū)中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長(zhǎng)設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場(chǎng)耦合作用對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測(cè)、智能優(yōu)化及

本書(shū)對(duì)復(fù)雜的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)智能調(diào)度問(wèn)題從理論到方法再到應(yīng)用,進(jìn)行了系統(tǒng)論述。主要內(nèi)容包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)調(diào)度框架、半導(dǎo)體制造系統(tǒng)數(shù)據(jù)預(yù)處理的方法、半導(dǎo)體生產(chǎn)線性能指標(biāo)相關(guān)性分析、智能化投料控制策略、一種模擬信息素機(jī)制的動(dòng)態(tài)派工規(guī)則、基于負(fù)載均衡的半導(dǎo)體生產(chǎn)線的動(dòng)態(tài)調(diào)度和性能指標(biāo)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線動(dòng)態(tài)調(diào)度方法、大

本書(shū)共分為6章：第1章是關(guān)于AlX(X=N,P,As)化合物的研究進(jìn)展的專(zhuān)題介紹，引出了現(xiàn)階段AlX(X=N,P,As)化合物的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。第二章以實(shí)驗(yàn)上已有AlX(X=N,P,As)化合物物相為對(duì)象，開(kāi)展AlX(X=N,P,As)化合物的性質(zhì)研究及對(duì)比分析，闡明組分改變對(duì)相同結(jié)構(gòu)的AlX化合物的性質(zhì)影響規(guī)律。第三章中

本書(shū)為“低維材料與器件叢書(shū)”之一。全書(shū)主要介紹低維半導(dǎo)體光子學(xué)的物理基礎(chǔ)，低維半導(dǎo)體材料制備與能帶調(diào)控、瞬態(tài)光學(xué)特性、光傳輸與光反饋、光子調(diào)控、非線性光學(xué)性質(zhì)和納米尺度光學(xué)表征與應(yīng)用，以及基于低維半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管、激光器、光調(diào)制器和非線性光學(xué)器件等，最后介紹了基于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)集成光子器件與技術(shù)。本書(shū)力求為

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ)，在消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國(guó)防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測(cè)試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用前景。圍繞SiC功率器件的基礎(chǔ)研究和前沿應(yīng)用，本書(shū)系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)，分析了器件的電-熱性能表征方

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本書(shū)從現(xiàn)代微電子裝備生產(chǎn)、使用中所發(fā)生的大大小小的數(shù)百個(gè)缺陷和故障中，篩選出201個(gè)較典型的案例，按照現(xiàn)象描述及分析、形成原因及機(jī)理、解決措施等層次，將其編輯成冊(cè)，旨在為現(xiàn)代微電子裝備生產(chǎn)、使用中所發(fā)生的缺陷與故障的診斷提供一個(gè)較為敏捷的解決方法。本書(shū)可作為大中型電子制造企業(yè)中從事微電子裝備制造工藝、質(zhì)量、用戶服務(wù)、計(jì)

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