《SMT生產(chǎn)實訓(xùn)（第2版）》以SMT生產(chǎn)工藝為主線，以“理論知識+實踐項目”的方式組織教材內(nèi)容，主要介紹了SMT基本工藝流程、表面組裝元器件、焊錫膏、模板、表面組裝工藝文件、靜電防護、5S管理、表面組裝印刷工藝、表面貼裝工藝、回流焊接工藝、表面組裝檢測工藝、表面組裝返修工藝以及SMT設(shè)備的維護與保養(yǎng)等內(nèi)容。《SMT生產(chǎn)

本書梳理和總結(jié)了中國科學(xué)院院士、半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家王占國院士近60年從事半導(dǎo)體材料領(lǐng)域科研活動的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎項以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家，對推動我國半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)繁榮、學(xué)科發(fā)展、

本書在“基于創(chuàng)新思維的工作過程系統(tǒng)化”教學(xué)改革成果基礎(chǔ)上，結(jié)合作者多年的工程應(yīng)用經(jīng)驗進行編寫。全書注重所述知識的工程應(yīng)用，使讀者在掌握電力電子技術(shù)的同時能夠快速掌握工程項目開發(fā)的思路、方法、經(jīng)驗，并培養(yǎng)運用理論解決項目中出現(xiàn)問題的能力。全書設(shè)有6個項目，主要內(nèi)容為常用電力電子器件的工作原理與使用特性，以及由這些器件組成

《絕緣體上硅（SOI）技術(shù)：制造及應(yīng)用》的目的是對SOICMOS新技術(shù)的進展進行全面介紹。全書分為兩部分：第一部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理；第二部分介紹相關(guān)的各種應(yīng)用。全書既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術(shù)，也包括全耗盡平面SOI技術(shù)、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應(yīng)用這樣一

本書共分7章，主要內(nèi)容包括：SMT簡介、SMT工藝流程及貼裝生產(chǎn)線、錫膏印刷機、SMT貼片技術(shù)、SMT焊接技術(shù)、SMT檢測技術(shù)和SMT管理。

《半導(dǎo)體材料/普通高等教育“十三五”規(guī)劃教材》圍繞第一代到第四代半導(dǎo)體材料和功能半導(dǎo)體材料，較系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體材料的基本概念、基本理論、性能、制備方法、檢測與測試、設(shè)計及應(yīng)用。全書共7章，包括緒論、半導(dǎo)體材料的物理基礎(chǔ)與效應(yīng)、半導(dǎo)體材料的分類與性質(zhì)、半導(dǎo)體材料的制備、半導(dǎo)體材料檢測與測試、半導(dǎo)體材料設(shè)計和半導(dǎo)體材料的

本書從電力電子到功率集成電路（PIC）、智能功率技術(shù)、器件等方面給電源管理和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了一個完整的描述。本書不僅介紹了集成功率半導(dǎo)體器件，如橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（LDMOSFET）、橫向絕緣柵雙極型晶體管（LIGBT）和超結(jié)LDMOSFET的內(nèi)部物理現(xiàn)象，還對電源管理系統(tǒng)進行了一個簡單的介紹。本書

本書是固態(tài)電子器件的教材，全書分為固體物理基礎(chǔ)和半導(dǎo)體器件物理兩大部分，共10章。第1章至第4章介紹半導(dǎo)體材料及其生長技術(shù)、量子力學(xué)基礎(chǔ)、半導(dǎo)體能帶以及過剩載流子。第5章至第10章介紹各種電子器件和集成電路的結(jié)構(gòu)、工作原理以及制造工藝等，包括：p-n結(jié)、金屬-半導(dǎo)體結(jié)、異質(zhì)結(jié)；場效應(yīng)晶體管；雙極結(jié)型晶體管；光電子器件；

半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬計算方法是現(xiàn)代計算數(shù)學(xué)和工業(yè)與應(yīng)用數(shù)學(xué)的重要領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬是用電子計算機模擬半導(dǎo)體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設(shè)計和研制新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導(dǎo)體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導(dǎo)體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀(jì)八十年代直到今天持續(xù)活躍的關(guān)于半導(dǎo)體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導(dǎo)體中氫原子與分子的最初實驗發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻），到硅等元素半導(dǎo)體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導(dǎo)體中氫的基本性質(zhì)和重要效應(yīng)。其中包括對材料和器件研制至關(guān)重要的含氫復(fù)合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導(dǎo)