隨著太赫茲技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導體氮化鎵具有更高擊穿場強、更高熱導率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學性質(zhì)調(diào)控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的

本書以第三代半導體與二維材料相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)化應用為目標，詳細介紹了二維材料上準范德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應用，內(nèi)容集學術(shù)性與實用性于一體。全書共8章，內(nèi)容包括二維材料及準范德華外延原理及應用、二維材料/氮化物準范德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準范德華

氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導率、高擊穿場強等優(yōu)勢，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎，參考國內(nèi)外的最新研究成果，詳細介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、最新進展及發(fā)展趨勢。本書共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長的物理基礎，物理氣相傳輸

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為10章，包括俯瞰功率半導體工藝全貌、功率半導體的基礎知識及運作、各種功率半導體的作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用于功率半導體的硅晶圓、硅功率半導體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的SiC與GaN、功率半導體制造過程的特征、功率半導體開辟綠色

激光熱敏光刻具有以下特點:1)寬波段光刻,這類光刻膠的吸收光譜一般都覆蓋從近紅外到極紫外的整個光刻曝光的波段,可以稱之為寬波段光刻膠;2)突破衍射極限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光學衍射極限,而是取決于熱致結(jié)構(gòu)變化區(qū)域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的強度一般呈高斯分布,光斑中心的溫度高,沿四周擴散并逐漸降低,

本書主要介紹了第一性原理及其在計算機模擬中各種參數(shù)的設置問題和實際模擬中的參數(shù)選擇,以及該方法在基于表面改性設計的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(電場或應變場)作用下電學性質(zhì)和磁學性質(zhì)研究中的應用,并將材料進一步拓展到外場下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。

功率半導體器件封裝技術(shù)

本書主要依據(jù)作者研究團隊及國內(nèi)外金屬有機框架材料（MOFS）與半導體復合材料的研究進展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應用以及光催化性能機理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結(jié)構(gòu)在工業(yè)應用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機框架材料及其光電

本書主要依據(jù)作者研究團隊及國內(nèi)外金屬有機框架材料（MOFS）與半導體復合材料的研究進展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應用以及光催化性能機理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結(jié)構(gòu)在工業(yè)應用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機框架材料及其光電