本書以正確闡述物理概念為主，輔以必要的數(shù)學推導，理論分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹沒在繁瑣的數(shù)學運算中，使讀者通過學習，達到對半導體中的各種基本物理現(xiàn)象有一全面正確的概念，建立起清晰的半導體物理圖像，為后續(xù)課程的學習，研究工作的開展，理解各種半導體器件，集成電路的工作機理打下良好的基礎(chǔ)。
本書為專著共分五章，前四章研究四類常見的半導體宏觀量子模型：量子漂移-擴散模型、量子能量輸運模型、量子Navier-Stokes方程組和雙極量子流體動力學模型。我們在一維有界區(qū)間上證明了量子漂移-擴散穩(wěn)態(tài)模型、量子能量輸運穩(wěn)態(tài)模型、量子Navier-Stokes穩(wěn)態(tài)方程組古典解的存在性以及雙極等溫量子流體動力學穩(wěn)態(tài)模型
本書是微電子技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)教程。全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理及半導體器件物理等內(nèi)容，分成三部分，共15章。*部分為半導體材料屬性，主要討論固體晶格結(jié)構(gòu)、量子力學、固體量子理論、平衡半導體、輸運現(xiàn)象、半導體中的非平衡過剩載流子；第二部分為半導體器件基礎(chǔ)，主要討論pn結(jié)、pn結(jié)二極管、金屬半導體和半導體異質(zhì)
本書全面介紹半導體物理學的基本理論，以物理科學、材料科學與工程、電子技術(shù)的眼光全面審視半導體物理的發(fā)展過程和進展情況。 本書內(nèi)容包括半導體的晶體結(jié)構(gòu)、常見半導體的能帶結(jié)構(gòu)、半導體中雜質(zhì)和缺陷效應、載流子的統(tǒng)計計算方法、半導體導電特性、光電導效應、光伏效應、金屬半導體的接觸特性、半導體同質(zhì)PN結(jié)、半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)、MOS
編者根據(jù)使用情況和評審意見對原書作了適當修改，力圖以簡明扼要的方式全面、準確介紹半導體物理學的基礎(chǔ)知識及其新進展，內(nèi)容包括半導體的物質(zhì)結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)和缺陷、載流子的統(tǒng)計分布及其運動規(guī)律、非熱平衡態(tài)半導體、pn結(jié)、金屬-半導體接觸、異質(zhì)結(jié)、半導體表面、以及主要的半導體效應。
全書分上下兩篇,上、下兩篇既獨立成篇又互為聯(lián)系,隸屬于微電子相關(guān)專業(yè)的知識體系,其中每篇又由“基礎(chǔ)知識”和“實驗”兩部分構(gòu)成。上篇為“半導體物理實驗”,分別為構(gòu)建晶體結(jié)構(gòu)、仿真與分析晶體電子結(jié)構(gòu)、單波長橢偏法測試分析薄膜的厚度與折射率、四探針測試半導體電阻率、霍耳效應實驗、高頻光電導法測少子壽命、肖特基二極管的電流電壓
光子學是與電子學平行的科學。半導體光子學是以半導體為介質(zhì)的光子學，專門研究半導體中光子的行為和性能，著重研究光的產(chǎn)生、傳輸、控制和探測等特性，進一步設計半導體光子器件的結(jié)構(gòu)，分析光學性能及探索半導體光子系統(tǒng)的應用�！栋雽w光子學》分為13章，包括光子材料、異質(zhì)結(jié)構(gòu)和能帶、輻射復合發(fā)光和光吸收、光波傳輸模式；超晶格和量子
本書共10章，47個專題，近300張圖片(包括書末40余幅珍貴圖片，既有著名的科學家，也有珍貴的原型器件和先進的儀器設備)。首先概述了半導體研究的對象、范圍和早期歷史，以貓須探測器為例介紹了半導體的早期應用，說明了材料、物理和器件這三者的相互作用在半導體研究中的重要性。然后是第一個晶體管的誕生、少子法則的確立以及硅基半
《半導體物理導論》的主要內(nèi)容包括：第一章半導體的晶體結(jié)構(gòu)與價鍵模型。第二章半導體的電子結(jié)構(gòu)。第三章半導體中的載流子定性描述。第四章半導體中的載流子定量描述。第五章半導體中載流子的電輸運。第六章低維半導體中的量子輸運和石墨烯電輸運。第七章金屬—半導體的接觸。第八章半導體表面效應和MIS結(jié)構(gòu)。第九章半導體的內(nèi)光電效應和發(fā)光
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